O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é:ID=21kn(VGS−VT)2 Considere um MOSFET com 𝒌𝒏 = 𝟎,𝟒𝑨/𝑽𝟐, 𝑽𝑻 = 𝟐𝑽, operando com 𝑽𝑮𝑺 = 𝟔𝑽. Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será

O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de sat...

Q4584442

O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é:

$I_{D} = \frac{1}{2} k_{n} (V_{G S} - V_{T})^{2}$

Considere um MOSFET com 𝒌_𝒏 = 𝟎,𝟒𝑨/𝑽^𝟐, 𝑽_𝑻 = 𝟐𝑽, operando com 𝑽_𝑮𝑺 = 𝟔𝑽.

Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será

1,6 A.

2,0 A.

3,2 A.

4,0 A.

6,4 A.