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Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo um conversor CC-CC e discute qual dispositivo semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem características distintas. Nesse contexto, é CORRETO afirmar que:
O transistor BJT é um dispositivo controlado por corrente, enquanto o MOSFET possui controle por tensão e elevada impedância de entrada.
O MOSFET é controlado por corrente elétrica no terminal gate, apresentando comportamento semelhante ao BJT.
O IGBT não é utilizado em eletrônica de potência, pois suporta apenas pequenas correntes e baixas tensões.
O BJT, o MOSFET e o IGBT possuem exatamente o mesmo princípio de acionamento e desempenho em frequência.
O MOSFET é sempre inferior ao BJT em velocidade de chaveamento, sendo raramente utilizado em conversores eletrônicos.