Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em
condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são
controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de
dispositivos semicondutores de portadores minoritários
A
Os diodos Schottky e os transistores bipolares de junção.
B
Os tiristores e os IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors – Transistores Bipolares com Porta Isolada).
C
Os JFET (Junction Field Effect Transistors – Transistores de Efeito de Campo de Junção) e os MOSFET (Metal-Oxide
Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-Semicondutor).
D
Os diodos Schottky e os diodos PIN.
E
Os MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-
Semicondutor) e os SCR (Silicon Controlled Rectifier – Retificador Controlado de Silício).