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As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:
As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:
A
Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta
mobilidade iônica.
B
A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.
C
A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.
D
Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO2.
E
A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.