Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com
mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando
técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos
eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes
na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica
trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das
características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor
(MOSFET) de potência, e de transistores bipolares,
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