Questões de Concurso sobre Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos

Na elaboração do desenho de placas eletrônicas, algumas considerações precisam ser feitas para se obter os melhores resultados.

Assinale a opção com as considerações corretas ao realizar o desenho de uma dessas placas.

Os transistores de estado sólido revolucionaram o campo da eletrônica por meio dos semicondutores. Um dos mais conhecidos deles, o transistor bipolar de junção (TBJ), está contido em muitos dispositivos eletrônicos, especialmente os que utilizam aplicações de frequência muito alta, como sistemas de radiofrequência sem fio. Considere a Figura 3, com um circuito com TBJ de silício com tensão 𝑉_𝐵E = 0,7 𝑉 e com corrente de saturação 𝐼_𝐶Sat = 6,1 𝑚A.

Figura 4. Circuito transistorizado. Fonte: Fonte: BOYLESTAD, R. L., NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. Editora Prentice-Hall do Brasil. 2004.

Analisando o circuito e verificando a forma de onda da tensão de saída em 𝑉_𝐶, qual é a função desse circuito?

Analise a imagem a seguir.

Considere o circuito da figura onde são dados Hfe = 100; Vcc = 18 V; RC = 2,2 kohms e RE = 1,1 kohms. Com base na imagem apresentada, o valor do resistor RB que faz com que o transistor opere no meio da reta de carga é de

Uma diferença fundamental entre transistores BJT e CMOS é que:

Um transistor de junção bipolar consegue amplifi car um sinal sem distorção, caso ele opere:

O diodo Zener consegue regular uma tensão em um circuito eletrônico devido à propriedade de:

O diodo é um componente semicondutor básico com diversas aplicações em circuitos de retificação e proteção. Qual das seguintes alternativas descreve corretamente a sua principal característica de funcionamento?

O circuito da figura b) apresenta uma fonte de tensão de V_BB = 2V polarizando diretamente um transistor através do resistor limitador de corrente de 100 kOhm. Considerando a curva de polarização deste transistor na figura a), e um ganho de corrente β_dc = 200, a corrente elétrica do coletor I_C é igual a:

Adaptado de MALVINO, A. BATES, D.J. Principios da Eletrônica. Madrid: McGraw-Hill, 2007.

A figura abaixo representa um circuito regulador que utiliza um diodo zener com tensão de ruptura igual a 15 V. Assim, qual é a potência dissipada no diodo?

O esquema abaixo mostra uma aplicação para amplificadores operacionais onde todos os componentes são considerados ideais.

Fonte: Banca Examinadora, 2026.

A razão entre as amplitudes de saída, primeiro com excitação de CA por um sinal de 1000 rad/s e depois com excitação de CC, é

No circuito da figura a seguir, o diodo Zener ideal tem tensão de estabilização de 5,6 V.

(Arquivo pessoal; figura usada com autorização)

Sendo assim, a corrente pelo Zener é de, aproximadamente,

Analisando as afirmações sobre o funcionamento do diodo Zener, é possível afirmar que

Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.

O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:

Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é

A distorção harmônica total (DHT) mensura a quantidade de distorção harmônica em um sinal elétrico em relação a sua frequência fundamental. Qual a tensão da componente fundamental de um sinal, considerando valores de tensão de 12V na 3ª harmônica e 5V na quinta harmônica e DHT de 13%?

O esquema abaixo mostra um conversor D/A de 4 bits que usa componentes ideais. O projeto do conversor assume que as entradas b₀ até b₃ podem receber apenas dois níveis de tensão: 0 V para representar nível lógico 0 e 5 V para representar nível lógico 1.

Fonte: Banca Examinadora, 2026.

Se o código digital aplicado no D/A for 0110, a saída do conversor será:

A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:

𝑰_𝑫 = 𝑰_𝑺 $\left(e^{{\frac{V_D}{n{V}_T}}_{-1}}\right)$

Sabe-se que 𝑰_𝑺 é a corrente de saturação reversa, 𝑽_𝑻 = $\frac{kT}{q}$ é a tensão térmica e 𝒏 é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com 𝑰_𝑺 = 𝟏𝟎^−𝟏𝟐𝑨, 𝒏 = 𝟏, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será

Um transistor NMOS tipo enriquecimento com V_t = 0,7 V, conduz uma corrente i_D igual a 100 µA, quando V_GS = V_DS = 1,2 V.

A corrente i_D quando V_GS = 1,5 V e V_DS = 3 V será de

No amplificador logarítmico do circuito abaixo, foi utilizado um resistor R₁=10Ω.

Considerando ln 2 ≈ 0,7 e sabendo que V₀=log₂ V_i, o valor aproximado de R₂ é