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A freqüência da radiação emitida por um LED semicondutor não é afetada pela temperatura do dispositivo.
A dopagem de um semicondutor intrínseco com uma impureza doadora resulta em um material cujos portadores de carga majoritários são buracos.
Um fotodetetor de avalanche apresenta um tempo de resposta menor do que um diodo de junção convencional.
Em um semicondutor intrínseco à temperatura absoluta maior que zero, a densidade de buracos na banda de valência é o dobro da densidade de elétrons na banda de condução.
Materiais policristalinos e amorfos são freqüentemente utilizados na fabricação de dispositivos semicondutores e circuitos integrados, para a construção de eletrodos condutores e para a construção de camadas de isolação elétrica.
O uso de materiais monocristalinos como substratos para a fabricação de dispositivos semicondutores e circuitos integrados é devido, entre outros fatores, às propriedades de transporte de carga elétrica apresentadas pelo corpo desses materiais.
A orientação cristalina é um fator relevante na escolha de substratos para a fabricação de dispositivos semicondutores e circuitos integrados.
A identificação da estrutura (monocristalino, policristalino, amorfo) de um material sólido é efetuada por meio de procedimentos químicos de análise.
Um fotodetetor de Si pode detectar o sinal de um diodo emissor de luz de GaAs, pois este diodo possui um elevado coeficiente de emissão de luz na faixa do ultravioleta.
Procedimentos de caracterização com base no ataque químico seletivo são úteis na identificação de planos cristalinos e de defeitos estruturais em materiais semicondutores.