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O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência é um dispositivo amplamente usado como chave em níveis de potência, devido às suas características e vantagens. Baseado nessas características, assinale a alternativa INCORRETA.
Mais rápido nas comutações que o TJB, entretanto, fornece mais perdas de condução na saturação.
Estão disponíveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os dispositivos em canal N têm valores nominais de corrente e tensão mais altos.
É um transistor de chaveamento rápido, caracterizado por uma alta impedância de entrada, apropriado para potências baixas e para aplicações de alta frequência.
Devido à baixa resistência de porta, a corrente de controle é elevada, dificultando um controle de condução entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no terminal de porta.
Utilizado em aplicações importantes, tais como fontes de alimentação chaveadas, nas quais as frequências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos.