Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação LW = 0,5μm1μm em uma tecnologia 0,18 μ m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth μ n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μ m2 Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Para que o FET descrito opere na região de saturação com...

Q2459673

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica

Ano: 2017

Banca: Fundação de Apoio à Educação e ao desenvolvimento Tecnológico do RN - FUNCERN

Prova: FUNCERN - IFRN - Professor do Ensino Básico, Técnico e Tecnológico - Área: Eletrônica - 2017

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação $\frac{W}{L}$ = $\frac{1 μ m}{0 , 5 μ m}$ em uma tecnologia 0,18 $μ$ m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth $μ$ n=450 cm ²/V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ $μ$ m²

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 $μ$ A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

$0, 1491$ V

$0, 1292$ V

$0, 1182$ V

$0, 1129$ V

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