Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte...

Q2459674

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação $\frac{W}{L}$ = $\frac{1 μ m}{0 , 5 μ m}$ em uma tecnologia 0,18 $μ$ m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth $μ$ n=450 cm ²/V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ $μ$ m²

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k $Ω$ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

1,98 V

1,69 V

1,89 V

1,78 V

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