A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a...

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10${}^{-6}$ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C${}^{-1}$.

Com base nas informações precedentes, julgue os próximos itens.