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Com relação aos dispositivos semicondutores de potência,
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Q3297983
Teclas de Atalhos
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Com relação aos dispositivos semicondutores de potência,
A
o transistor bipolar de maior potência é indicado para aplicação de frequência elevada pela sua alta velocidade de chaveamento.
B
a região ativa do MOSFET é caracterizada pela corrente Id constante para qualquer Vds, ou seja, região de corrente constante.
C
o IGBT apresenta um diodo parasita e a construção do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste diodo.
D
o tiristor é formado por 3 (três) camadas semicondutoras possuindo 3 (três) terminais: anodo, catodo e porta.
E
o transistor bipolar de potência tipo PNP apresenta menores perdas com relação ao tipo NPN e menor tempo de comutação.