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Questões de Concurso sobre Dispositivos de Memória
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Em relação aos dispositivos de armazenamento de dados para computadores atuais, é CORRETO o que se afirma em:
A
A unidade de estado-sólido (SSD) apresenta velocidade de leitura/escrita muito superior quando comparada ao disco rígido (HD).
B
O disco rígido (HD) possui custo elevado quando comparado às unidades de estadosólido (SSD)
C
A unidade de estado-sólido (SSD) é mais frágil que o disco rígido (HD).
D
O disco rígido (HD) possui baixo nível de ruído e de geração de calor.
E
O disco rígido (HD) não possui parte móvel.
Relacione os tipos de memória com as suas respectivas características:
1. PROM
2. EPROM
3. SRAM
4. DRAM
( ) Memória volátil de acesso aleatório na qual a informação é armazenada através da carga em pequenos capacitores, necessitando de operações de repotencialização (refresh) periódicas devido as correntes de fuga.
( ) Memória não-volátil que pode ser programada pelo usuário apenas uma única vez.
( ) Memória volátil de alta velocidade de acesso na qual os elementos básicos de memória são circuitos biestáveis.
( ) Memória não-volátil que pode ser apagada ao se expor o circuito a radiação ultravioleta.
Assinale a opção que indica a relação correta na ordem apresentada.
A
3, 2, 4 e 1.
B
1, 4, 2 e 3.
C
2, 3, 1 e 4.
D
4, 1, 3 e 2.
E
3, 1, 4 e 2.
Podemos classificar as memórias em vários itens diferentes. Marque a alternativa que relaciona esses itens.
A
Acesso, ROM, Estática, Volatilidade.
B
Volatilidade, Troca de dados, Acesso, PROM.
C
Tipo de armazenamento, Troca de dados, Palavra de Endereçamento, EPROM.
D
Acesso, Volatilidade, Troca de dados, Tipo de armazenamento.
Indique a alternativa correta em relação às características de memórias.
A
A memória de acesso sequencial permite que se chegue à localização do dado requisitado, passando por todas as posições intermediárias, apresentando-se como vantajosa em relação à memória de acesso aleatório, em função da rapidez da busca à informação.
B
A memória volátil apresenta capacidade de manter a informação armazenada mesmo na falta de alimentação. Essa característica ocorre em função dos componentes de construção, baseados em semicondutores e tendo como elemento de armazenamento o flip-flop.
C
A memória de armazenamento dinâmico caracteriza-se pela incapacidade de manter a informação armazenada por muito tempo, sendo necessária a atualização dos dados periodicamente.
D
A memória EEPROM permite a reprogramação pelo usuário, possibilitando nova inserção de dados, caso necessário, desde que essa ação seja precedida pelo apagamento do seu conteúdo com utilização de luz ultravioleta.
Na organização estruturada de computadores digitais orientados a barramento, uma estratégia de melhoria de desempenho é o emprego de memória cache. Esse tipo de memória está fisicamente localizado:
A
em uma região de rápido acesso no disco rígido
B
internamente ao microprocessador
C
nos endereços iniciais das pastilhas de memória RAM
D
em um chip exclusivo fisicamente independente na placa-mãe
Supondo que a memória principal de um computador é constituída de 2𝑁 palavras endereçáveis, cada qual com um endereço distinto de n bits. Para fins de mapeamento, uma memória cache é constituída de M blocos de 256 palavras. Determine o valor de M considerando n = 16 bits.
A
128
B
64
C
512
D
32
E
256
Deseja-se combinar algumas memórias PROMS de 4K x 8 para produzir capacidade total de 16K x 8. A quantidade de CIS PROMs e a quantidade de linhas no barramento de endereço são respectivamente,
A
4; 16
B
2; 16
C
2; 8
D
4; 8
E
4; 14
1Gbyte é igual à
A
106 bytes.
B
230 bytes.
C
1.024 x 106 bits.
D
1.000 x 1Mbyte.
No que diz respeito aos computadores digitais, observe a figura abaixo, que ilustra a hierarquia de memória:
Os identificadores M2, M3 e M4 referem-se, respectivamente, aos seguintes componentes:
A
RAM/PRINCIPAL, CACHE e ROM/EPROM.
B
RAM/PRINCIPAL, ROM/EPROM e CACHE.
C
CACHE, ROM/EPROM e RAM/PRINCIPAL.
D
ROM/EPROM, CACHE e RAM/PRINCIPAL.
E
ROM/EPROM, RAM/PRINCIPAL e CACHE.
Materiais paramagnéticos não são indicados para serem memória de gravação magnética.
C
Certo
E
Errado
Uma memória com 16Kbytes de células de memória pode armazenar quantas palavras de 2 bytes?
A
32
B
1.024
C
8.192
D
32.768
Avalie as informações abaixo.
I - O acesso a uma dada localidade de memória pode ser feito de forma sequencial ou aleatória.
II - A memória RAM é o principal tipo de memória cujo acesso aos dados gravados é feito de forma sequencial.
III - A EPROM é a denominação dada a uma memória ROM que possui alta densidade de armazenamento.
Está correto o que se afirma apenas em
A
I.
B
II.
C
II e III
D
I e III
Na figura, está esquematizado um circuito lógico, acionado através da utilização dos pinos de endereço e leitura de dados de uma memória ROM.
Considere que:
- Tanto os pinos de endereçamento quanto de dados operam em modo ativo alto.
- O módulo de tensão dos pinos de dados, em nível alto, é suficiente para ativar as entradas das portas lógicas.
Adicionalmente, é apresentado o esquemático da matriz quadrada de registradores desta ROM, com as respectivas palavras de oito bits gravadas em cada registrador:
Assinale a alternativa que apresenta os níveis lógicos dos pinos de endereçamento que, conforme o circuito proposto pela figura, proporcionarão S = 1.
A
A0 = 0 ; A1 = 1 ; A2 = 1 ; A3 = 0
B
A0 = 0 ; A1 = 0 ; A2 = 1 ; A3 = 1
C
A0 = 1 ; A1 = 1 ; A2 = 0 ; A3 = 1
D
A0 = 1 ; A1 = 0 ; A2 = 0 ; A3 = 1
Uma memória que possui 10 posições de armazenamento com 1 bit de informação, cada uma, é endereçada por um multiplexador. Quantos bits de endereço deve possuir esse multiplexador?
A
(010)10
B
(001)10
C
(010)2
D
(011)2
E
(100)2
A capacidade de armazenar informações binárias por um período de tempo é uma função imprescindível para os sistemas digitais. Sobre o dispositivo responsável por tal armazenamento em circuitos digitais, assinale a alternativa correta.
A
Portas lógicas
B
Comparador
C
Multiplexador
D
Registrador
As memórias caches consomem menos energia e são mais lentas que as memórias RAM.
C
Certo
E
Errado
A figura abaixo representa uma memória com n células.
As memórias são compostas por células que armazenam parte de uma informação. Cada célula é referenciada por meio de um endereço.
Para um número de bits igual a 4, é possível acessar até:
A
4 células;
B
6 células;
C
12 células;
D
16 células;
E
32 células.
Em relação às memórias EPROM, EEPROM e FLASH, considere as seguintes afirmativas:
I. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada.
II. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EEPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada.
III. A memória FLASH apresenta densidade mais elevada e custo mais baixo que a memória EEPROM.
Das afirmativas apresentadas acima, apenas:
A
I está correta.
B
II está correta.
C
I e II estão corretas.
D
I e III estão corretas.
E
II e III estão corretas.
Sobre os tipos de memórias de computadores, analise as afirmativas a seguir.
I. Todos os dados e instruções acessados pelo processador são armazenados na memória RAM.
II. Os dados acessados com maior frequência são copiados para a memória cache.
III. As memórias ROM e a secundária são voláteis, e a virtual possui um acesso muito lento.
Está correto somente o que se afirma em:
A
I;
B
II;
C
III;
D
I e II;
E
II e III.
Os computadores tornaram-se ferramentas fundamentais para o desenvolvimento das atividades da maioria das empresas.
Analise as afirmativas abaixo considerando os componentes internos de um computador.
1. A memória RAM é mais rápida do que a memória cache.
2. A memória do HD (hard disc) é volátil.
3. A placa-mãe é a responsável por unir os periféricos, memórias e processador do computador.
4. Os HDs de estado sólido (SSDs) não possuem partes móveis.
Assinale a alternativa que indica todas as afirmativas corretas.
A
São corretas apenas as afirmativas 1 e 2.
B
São corretas apenas as afirmativas 1 e 3.
C
São corretas apenas as afirmativas 2 e 3.
D
São corretas apenas as afirmativas 2 e 4.
E
São corretas apenas as afirmativas 3 e 4.
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