Questões de Concurso sobre Eletrônica de Potência

 
 
Disciplina 1
Assunto 3
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Os dois tipos principais de técnicas de construção utilizadas em transformadores monofásicos são de núcleo


A

girante e de núcleo fixo.


B

passivo e de núcleo ativo.


C

envolvido e de núcleo envolvente.


D

saturado e de núcleo permanente.


E

simplificado e de núcleo composto.

Em um transformador, a relação entre a potência útil de saída e a potência de entrada é denominada


A

rendimento.


B

relutância.


C

histerese.


D

densidade.


E

dispersão.

Imagem associada para resolução da questão


A

a sua frequ¨ºncia de corte ¨¦ dada por 1/(2¦ÐRC).


B

caso a frequ¨ºncia do sinal Ve >> frequ¨ºncia de corte, o circuito se comportar¨¢ como um amplificador não inversor.


C

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito diferenciador se a frequ¨ºncia de Ve << frequ¨ºncia de corte.


D

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve < frequ¨ºncia de corte.


E

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve >> frequ¨ºncia de corte.

Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.

C
Certo

E
Errado

Sobre o circuito, é correto afirmar que


A

i1 = 25 mA e V1 = 10 V.


B

i1 = 25 mA e VA = 10 V.


C

i2 = 15 mA e V2 = 5 V.


D

V1 – V2 = 10V e i2 = 1,5.i3.


E

V1 – V2 = 5V e i1 = 2,5.i3.

Imagem associada para resolução da questão


A

fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja amplitude foi ceifada em sua parte positiva.


B

fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja amplitude foi ceifada em sua parte negativa.


C

fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja frequência é duas vezes o valor da frequência de Ve.


D

fornece uma tensão em corrente contínua em R cujo valor é duas vezes o valor de pico de Ve.


E

retifica e filtra a tensão Ve, fornecendo em R uma tensão de valor igual ao valor de pico de Ve.

Imagem associada para resolução da questão


A

a frequ¨ºncia do sinal gerado em Vo pode atingir valores muito altos (acima de 100 GHz).


B

a frequ¨ºncia do sinal Vo ¨¦ igual a 1/(2¦ÐRC).


C

ele fornece um sinal com forma de onda quadrada em Vo.


D

o sinal em Vo apresenta, necessariamente, alta distorção.


E

para que o circuito oscile, o seu ganho deve ser alto (acima de 100).

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:


A

Imagem associada para resolução da questão


B

Imagem associada para resolução da questão


C

Imagem associada para resolução da questão


D

Imagem associada para resolução da questão


E

Imagem associada para resolução da questão

Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:


A

0,1 ≤ XL < 0,5.


B

0,5 ≤ XL < 1.


C

1 ≤ XL < 3.


D

3 ≤ XL < 5.


E

5 ≤ XL ≤ 10.

Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que


A

a função de D1 é conduzir durante a condução do transistor.


B

a função de Dz é desmagnetizar o núcleo do transformador nos instantes em que o transistor se encontra cortado.


C

a função de Dz é conduzir sempre que o transistor estiver conduzindo.


D

eles limitam a amplitude do pulso de acionamento do SCR.


E

eles limitam a largura do pulso de acionamento do SCR.

Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o


A

1.


B

2.


C

3.


D

4.


E

5.

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que


A

cargas positivas eliminam cargas negativas.


B

cargas negativas não sofrem movimentação nesses materiais.


C

cargas não podem ser criadas ou destruídas.


D

o número de cargas negativas duplica em um processo de condução.


E

o número de cargas positivas duplica em um processo de condução.

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio


A

da retirada total de seus elétrons.


B

da adição de átomos considerados como impurezas.


C

de seu congelamento permanente.


D

de sua fusão com fios de cobre.


E

de sua transformação em átomos de hidrogênio.

As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:


A

Ex(t) = A sen (wt)

Ey(t) = A sen (wt)


B

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt)


C

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð)


D

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð/2)


E

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð/4)

No que tange à estrutura de bandas de energia de um material semicondutor, é correto afirmar que


A

não possui banda de val¨ºncia.


B

não possui banda de condução.


C

sua banda proibida tem largura grande (¡Ö 6 eV).


D

sua banda proibida tem largura pequena (¡Ö 1eV).


E

sua banda proibida tem temperatura constante de 25 ºC, independentemente da temperatura externa.

 
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