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Os dois tipos principais de técnicas de construção utilizadas em transformadores monofásicos são de núcleo
girante e de núcleo fixo.
passivo e de núcleo ativo.
envolvido e de núcleo envolvente.
saturado e de núcleo permanente.
simplificado e de núcleo composto.
Em um transformador, a relação entre a potência útil de saída e a potência de entrada é denominada
rendimento.
relutância.
histerese.
densidade.
dispersão.

a sua frequ¨ºncia de corte ¨¦ dada por 1/(2¦ÐRC).
caso a frequ¨ºncia do sinal Ve >> frequ¨ºncia de corte, o circuito se comportar¨¢ como um amplificador não inversor.
o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito diferenciador se a frequ¨ºncia de Ve << frequ¨ºncia de corte.
o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve < frequ¨ºncia de corte.
o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve >> frequ¨ºncia de corte.
Sobre o circuito, é correto afirmar que
i1 = 25 mA e V1 = 10 V.
i1 = 25 mA e VA = 10 V.
i2 = 15 mA e V2 = 5 V.
V1 – V2 = 10V e i2 = 1,5.i3.
V1 – V2 = 5V e i1 = 2,5.i3.

fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja amplitude foi ceifada em sua parte positiva.
fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja amplitude foi ceifada em sua parte negativa.
fornece uma tensão em corrente alternada em R cuja frequência é duas vezes o valor da frequência de Ve.
fornece uma tensão em corrente contínua em R cujo valor é duas vezes o valor de pico de Ve.
retifica e filtra a tensão Ve, fornecendo em R uma tensão de valor igual ao valor de pico de Ve.

a frequ¨ºncia do sinal gerado em Vo pode atingir valores muito altos (acima de 100 GHz).
a frequ¨ºncia do sinal Vo ¨¦ igual a 1/(2¦ÐRC).
ele fornece um sinal com forma de onda quadrada em Vo.
o sinal em Vo apresenta, necessariamente, alta distorção.
para que o circuito oscile, o seu ganho deve ser alto (acima de 100).

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:





Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:
0,1 ≤ XL < 0,5.
0,5 ≤ XL < 1.
1 ≤ XL < 3.
3 ≤ XL < 5.
5 ≤ XL ≤ 10.
Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que
a função de D1 é conduzir durante a condução do transistor.
a função de Dz é desmagnetizar o núcleo do transformador nos instantes em que o transistor se encontra cortado.
a função de Dz é conduzir sempre que o transistor estiver conduzindo.
eles limitam a amplitude do pulso de acionamento do SCR.
eles limitam a largura do pulso de acionamento do SCR.
Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o
1.
2.
3.
4.
5.
Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:





A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que
cargas positivas eliminam cargas negativas.
cargas negativas não sofrem movimentação nesses materiais.
cargas não podem ser criadas ou destruídas.
o número de cargas negativas duplica em um processo de condução.
o número de cargas positivas duplica em um processo de condução.

+3 V e –6 V.
+3,7 V e –6,7 V.
+6,7 V e –3,7 V.
+8,3 V e –5,3 V.
+12 V e –12 V.
Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio
da retirada total de seus elétrons.
da adição de átomos considerados como impurezas.
de seu congelamento permanente.
de sua fusão com fios de cobre.
de sua transformação em átomos de hidrogênio.
As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:
Ex(t) = A sen (wt)
Ey(t) = A sen (wt)Ex(t) = A cos (wt)
Ey(t) = A cos (wt)Ex(t) = A cos (wt)
Ey(t) = A cos (wt ± ð)Ex(t) = A cos (wt)
Ey(t) = A cos (wt ± ð/2)Ex(t) = A cos (wt)
Ey(t) = A cos (wt ± ð/4)No que tange à estrutura de bandas de energia de um material semicondutor, é correto afirmar que
não possui banda de val¨ºncia.
não possui banda de condução.
sua banda proibida tem largura grande (¡Ö 6 eV).
sua banda proibida tem largura pequena (¡Ö 1eV).
sua banda proibida tem temperatura constante de 25 ºC, independentemente da temperatura externa.