Questões de Concurso sobre Eletrônica de Potência

Dispositivo de dois terminais cuja resistência diminui com o aumento da luminosidade. Trata-se de

O MOSFET do tipo enriquecimento possui um canal que é fisicamente implantado, por meio de técnicas de dopagem.

Quando V_O > V_I - V_t e V_I > V_t o transistor estará no modo saturação, não sendo adequado à operação como chave.

No circuito abaixo, o gerador equivalente de Thévenin é composto por RTh e ETh, que valem, respectivamente,

O manual do fabricante do JFET fornece um parâmetro que corresponde à corrente de saturação entre dreno (drain) e fonte (source) quando a tensão de porta (gate) está em curto com o terminal de fonte. Trata-se de

Se os valores lógicos de entrada forem X = 1, Y = 0, Z = 0 e W = 1, o valor lógico da saída será igual a 0.

A estrutura do transitor representado no circuito é

Pelo modelo teórico apresentado, se K_Amp e K_MT forem positivos, então o sistema em malha fechada é sempre estável.

Para V_I >> V_O + V_t, a carga será percorrida por uma corrente de valor aproximadamente igual a amperes.

Analise as seguintes afirmações sobre inversores.

I. Inversores de corrente são circuitos elétricos com a finalidade de converter a corrente contínua em corrente alternada.

II. Os inversores de corrente são aplicados no acionamento de máquinas de corrente contínua, especialmente as máquinas de construção mais antigas.

III. Existem diferentes tipos de tecnologia de inversores. A tecnologia clássica ou onda quadrada é a mais simples. Uma das mais sofisticadas é a tecnologia de onda senoidal, na qual o rendimento é muito superior ao da tecnologia de onda quadrada.

Assinale a alternativa que contém a(s) afirmação(ões) CORRETA(S).

Em operação normal, a corrente de porta do transistor é da ordem de algumas dezenas de miliamperes.

Se, inicialmente, A₁ = 0 e A₀ = 1, então, após dois períodos de relógio, A₁ = 0 e A₀ = 0.

Um circuito RLC paralelo é formado por L = 10µH, C = 100nF e R = 100k. A freqüência de ressonância vale, aproximadamente,

O valor da tensão V _s é igual a 2,5 V.

O parâmetro h_FE refere-se à relação