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Dadas as afirmativas abaixo sobre o cristal piezoelétrico, assinale a alternativa correta.
1 – O cristal piezoelétrico, quando sujeito a uma diferença de potencial, deforma-se mecanicamente.
2 – A frequência de ressonância do cristal não está relacionada com as dimensões mecânicas da sua lâmina.
3 – O cristal, quando corretamente conectado no circuito e alimentado, oscila em uma frequência extremamente estável.
4 – O circuito elétrico equivalente de um cristal piezoelétrico é uma associação série RLC em paralelo com um capacitor.
A afirmativa 4 justifica a 1.
A afirmativa 1 justifica a 3.
Somente a afirmativa 2 está correta.
Somente a afirmativa 4 está correta.
Considerando as propriedades elétricas, térmicas e magnéticas dos metais, dos supercondutores e dos semicondutores, analise as proposições.
I. Em um metal, devido à agitação térmica, a condutividade diminui com o aumento da temperatura;
II. Os metais são caracterizados por possuírem condutividade da ordem de 107 S/m.
III. Nos supercondutores a condutividade aumenta abruptamente quando são resfriados a temperaturas muito baixas, próximas a 0 K e nessa condição, os materiais expulsam de seu interior qualquer campo magnético.
IV. A condutividade de um semicondutor diminui com o aumento da temperatura.
V. Os semicondutores tetravalentes podem ser dopados com átomos trivalentes e pentavalentes, aumentando o número de elétrons e lacunas na rede cristalina, respectivamente.
Assinale a alternativa correta.
( ) Somente as afirmativas I, II e III são verdadeiras.
( ) Somente as afirmativas I, II e IV são verdadeiras.
( ) Somente as afirmativas IV e V são verdadeiras.
( ) Todas as afirmativas são verdadeiras.
A grande maioria dos materiais conhecidos se encaixa em um destes dois grupos: condutor elétrico ou isolante elétrico. Há, contudo, certos materiais que não se enquadram bem em nenhuma dessas suas categorias, mas sim em um grupo intermediário, por exemplo:
A baquelite.
O silício.
A porcelana.
A prata.
Chama-se serie triboelétrica a relação ordenada de substâncias em que, ao atritarmos duas delas, a que figura antes se eletriza positivamente, e a que figura depois, negativamente. Sendo assim, com qual dos materiais abaixo se atritarmos um isopor, ele ficará carregado negativamente?
Teflon
Silicone
Vidro
PVC
Os semicondutores, componentes largamente utilizados em eletrônica, são caracterizados pela presença de cristais.
No instante da formação do cristal pn, qual o comportamento dos elétrons livres do cristal n?
Elétrons livres do cristal n não se espalham, e permanecem apenas no cristal n.
Elétrons livres saem do cristal n, e cria-se íons negativos nele.
Elétrons livres penetram no cristal p, e tornam-se portadores minoritários.
Elétrons livres preenchem todas as lacunas do cristal p, fazendo com que estas desapareçam.
Ao partir um imã em forma de uma barra retangular em quatro pedaços, obteremos:
Quatro imãs, cada um com seu polo norte e sul.
Quatro imãs, com apenas os dois polos, o norte e sul da barra original.
Quatro imãs, dois com polo norte e dois com polo sul.
Quatro imãs, desmagnetizados.
Dos materiais listados abaixo, o que apresenta menor resistividade elétrica é:
O cobre.
O grafite.
A prata.
O alumínio.
Os materiais condutores são caracterizados por diversas grandezas, dentre as quais se destacam: condutividade ou resistividade elétrica, coeficiente de temperatura, condutividade térmica, potencial de contato, comportamento mecânico, entre outras não menos importantes.
...
Considerando a afirmação acima, indique qual das opções abaixo apresenta os materiais altamente condutores, exclusivamente.
Cobre, Alumínio, Chumbo, Prata, Ouro.
Cobre, Carbono-Grafite, Níquel, Cádmio.
Carbono amorfo, Ferro, Tungstênio, Chumbo.
Níquel, Prata, Cromo, Carvão eletrografítico.
Um material condutor, cujo coeficiente de temperatura a 20 ºC é de 0,004, apresenta nessa condição uma resistência elétrica de 5 ohms.
Quando esse material for submetido a uma temperatura de 70 ºC, o valor de sua resistência elétrica, em ohms, será de
3,2
4,0
6,0
6,8
7,2
Coloque F (falso) ou V (verdadeiro) nas afirmativas abaixo, em relação a diodos, assinalando a seguir a opção correta.
( ) Um material semicondutor que tenha sido submetido ao processo de dopagem é chamado de material extrínseco.
( ) O diodo semicondutor é diferente de uma chave mecânica porque, quando o chaveamento for fechado, permitirá somente que a corrente flua em um sentido.
( ) O potencial Zener de um diodo Zener independe da temperatura de operação.
( ) A capacitância de um diodo diminui exponencialmente com o aumento da tensão de polarização direta. Seus níveis mais baixos estão na região de polarização reversa.
(V) (V) (F) (F)
(F) (V) (F) (V)
(F) (F) (V) (F)
(F) (F) (V) (V)
(V) (F) (V) (F)
A Figura 6 apresenta a parte real (ε’) e a parte imaginária (ε’’) da constante dielétrica de um material em função da frequência. Devido aos efeitos de polarização da matéria, diferentes mecanismos físicos provocam variações das propriedades dielétricas com a frequência.

Os mecanismos que ocorrem em A, B e C são, respectivamente:
polarização de eletrodo, relaxação atômica e relaxação eletrônica.
relaxação dipolar, ressonância atômica e ressonância eletrônica.
relaxação dipolar, polarização de dupla camada e polarização de carga espacial.
polarização interfacial, polarização de eletrodo e relaxação atômica.
relaxação dipolar, polarização de eletrodo e ressonância eletrônica.
Com relação aos materiais magnéticos, analise as afirmativas a seguir.
I. Materiais diamagnéticos, quando submetidos à presença de um campo magnético, têm seus ímãs elementares orientados no sentido contrário ao sentido do campo magnético aplicado.
II. Materiais paramagnéticos tendem a se alinharem paralelamente com o campo magnético aplicado.
III. Materiais ferromagnéticos possuem momento magnético permanente, mesmo na ausência de campo magnético aplicado.
Está correto o que se afirma em
Uma amostra de silício intrínseco sofreu um processo de dopagem. Isso significa que
uma amostra de silício tipo N foi aquecida ao ponto de tornarse condutor.
uma amostra de silício não pura foi aquecida até a liberação de suas impurezas.
os portadores de carga do silício puro (elétrons livres) foram substituídos por lacunas.
na amostra de silício puro, foram acrescentadas impurezas de modo a aumentar sua condutividade elétrica.
Leia as afirmativas a seguir:
I. São exemplos de risco químico as máquinas e equipamentos sem proteção e o arranjo físico inadequado.
II. A corrente elétrica é caracterizada como o fluxo desordenado de cargas elétricas.
Marque a alternativa CORRETA:
As duas afirmativas são verdadeiras.
A afirmativa I é verdadeira, e a II é falsa.
A afirmativa II é verdadeira, e a I é falsa.
As duas afirmativas são falsas.
Analise as afirmativas abaixo com relação aos materiais magnéticos.
1. A indutância será fixa quando a relação entre o fluxo magnético e a corrente magnética for constante.
2. Um indutor com núcleo a ar não terá saturação magnética.
3. Um indutor com entreferro a ar não terá saturação magnética.
Assinale a alternativa que indica todas as afirmativas corretas.
É correta apenas a afirmativa 1.
São corretas apenas as afirmativas 1 e 2.
São corretas apenas as afirmativas 1 e 3.
São corretas apenas as afirmativas 2 e 3.
São corretas as afirmativas 1, 2 e 3.
Uma corrente elétrica constante de 10A é mantida em um condutor metálico durante 5 minutos. O valor da carga elétrica que atravessa uma seção desse condutor é:
50 C
300 C
3000 C
500 C
200 C
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um bom condutor e a de um isolante.
Em relação a esses tipos de materiais, assinale a alternativa correta.
Um semicondutor extrínseco apresenta o maior grau de pureza disponibilizado pela tecnologia utilizada na sua fabricação.
Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna, de portador minoritário.
Um semicondutor intrínseco foi submetido ao processo de dopagem para inserção controlada de impurezas.
Materiais semicondutores possuem coeficiente de temperatura positivo.
O diagrama, a seguir, representa um mapa de aplicações de semicondutores de potência como função dos níveis de potência e da frequência de comutação desses componentes. No diagrama, estão identificadas algumas das tecnologias dos dispositivos e também setores de aplicação.
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Fonte: Figura de domínio público
Levando-se em conta os dois parâmetros definidores, os campos assinalados pelos números 1, 2, 3 e 4 correspondem, respectivamente, aos dispositivos de potência:
SCR, MOSFET, GTO e IGBT.
SCR, GTO, IGBT e MOSFET.
GTO, IGBT, MOSFET e SCR.
IGBT, SCR, GTO e MOSFET.
Sobre as características dos condutores elétricos, responda qual a afirmação incorreta:
Os condutores de alumínio são bastante empregados em sistemas elétricos de potência em média e em alta tensão, principalmente, devido ao seu reduzido custo em relação ao cobre.
Quando comparadas as seções de condutores de cobre e de alumínio, para uma mesma corrente a ser transmitida, são bastante semelhantes.
A blindagem eletrostática do condutor, realizada com materiais semicondutores, é importante para a uniformização das linhas de campo elétrico radial e longitudinal.
Os condutores de alumínio encordoados com alma de aço apresentam excelente comportamento aos esforços mecânicos exigidos em linhas de áreas de transmissão.
Em redes aéreas sob a influência da ação marítima é predominante o uso de cabos de cobre nus.