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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Nos materiais isolantes, ocorre separação entre banda de condução e de valência. Nos materiais condutores, a diferença de energia entre a banda de condução e a de valência, na temperatura ambiente, é maior que nos materiais isolantes, o que permite o estabelecimento de um fluxo de corrente, já que há, nos condutores, mais elétrons livres do que nos isolantes.
C
Certo
E
Errado
Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna
da junção V0 é igual a 0,5 V e que o coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de
polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:
A
0,8 pF.
B
2,4 pF.
C
16 pF.
D
1,6 pF.
E
8 pF.
Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção coletor-base estiverem reversamente polarizadas.
C
Certo
E
Errado
Qual a técnica utilizada para medidas de taxa de corrosão em amostras?
A
Espectrometria de massa.
B
Perfilometria.
C
Elipsometria
D
Espectroscopia por emissão ótica.
E
Reflectometria.
São tipos de plasma de alta densidade:
A
ICP e ECR.
B
ICP e barril.
C
ICP e por acoplamento capacitivo.
D
Capacitivo e barril.
E
Plasma remoto.
Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:
A
Corrente elétrica e Campo Elétrico.
B
Energia e dose do feixe de íons, massa do íon e ângulos de inclinação e rotação da amostra.
C
Energia e dose do feixe de elétrons, massa do elétron e ângulo de inclinação da amostra.
D
Corrente e dose do feixe de íons, massa do elétron e sem ângulo de inclinação da amostra.
E
Corrente e dose do feixe de elétrons, massa do íon e sem ângulo de inclinação da amostra.
Qual o intervalo típico de energia de íons em processo RIE?
A
1-10 eV.
B
10-100 eV.
C
100-1000 eV.
D
1-100 eV.
E
1 – 1000 eV.
As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:
A
aceleração do spinner.
B
velocidade final de rotação.
C
velocidade do plasma.
D
velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.
E
viscosidade da solução.
Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter
A
o perfil de implantação na lâmina.
B
a oxidação da lâmina.
C
a deposição de um filme fino sobre a lâmina.
D
a limpeza da lâmina.
E
os defeitos na lâmina.
Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?
A
Ambiente inerte com gás nitrogênio.
B
Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.
C
Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.
D
Ambiente inerte com gás argônio.
E
Ambiente em vácuo com pressão menor que 10-6 Torr.
Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais
adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura
de resistência do tipo ponte:
I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais
nas extremidades e dois terminais internos.
II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão.
III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de
resistências parasitárias.
Estão corretas as sentenças:
A
I
B
I e II
C
II
D
II e III
E
I, II e III
O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque
A
aumenta a mobilidade dos elétrons.
B
aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
C
aumenta a mobilidade dos íons.
D
aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
E
diminui a mobilidade dos átomos na superfície.
Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?
A
Solução de ácido nítrico (HNO3).
B
Solução básica de amoníaco (NH4OH).
C
Solução de ácido fosfórico (H3PO4).
D
Solução de ácido fluorídrico (HF).
E
As soluções de ácido nítrico (HNO3) e ácido fosfórico (H3PO4) podem ser usadas para a corrosão do SiO2.
Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício
policristalino, usados na tecnologia CMOS?
A
Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
B
Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
C
Microscopia de força atômica (AFM).
D
Elipsometria.
E
Perfilometria.
Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.
A
Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e processo com plasma de oxigênio.
B
Limpeza RCA e corrosão com HCl.
C
Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e limpeza RCA.
D
Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA.
E
Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e corrosão com solução de HCl.
Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?
1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.
2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.
3 - Para oxidar a lâmina.
4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.
Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):
A
1 e 2.
B
2 e 3.
C
2, 3 e 4.
D
1, 2 e 3.
E
1, 3 e 4.
O método das quatro pontas é utilizado para
A
implantação seletiva de dopantes na lâmina de silício.
B
medida da resistividade da lâmina de silício.
C
medida da espessura do óxido de porta.
D
medida das características corrente-tensão de um transistor MOSFET.
E
levantamento das característica capacitância-tensão de capacitores MOS.
Assinale a alternativa que apresenta uma DESVANTAGEM ao instalar eletrodutos rígidos de plásticos.
A
São estanques, não permitindo a entrada de água.
B
Possibilitam bom aspecto da instalação.
C
Podem ser embutidos ou expostos.
D
São menos resistentes, exigindo mais pontos de apoio nas instalações.
E
São menos abrasivos, facilitando a entrada dos condutores.
Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 1019 cm-3, na base é igual a 1018 cm-3 e no coletor é igual a 1015 cm-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos ni = 1010 cm-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm2/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm2/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10-19 C)
A
1,6 x 10-18 A e 200.
B
16 x 10-18 A e 100.
C
1,6 x 10-15 A e 300.
D
36 x 10-15 A e 200.
E
3,2 x 10-20 A e 400.
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