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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Quanto às propriedades magnéticas da matéria, os materiais se classificam em ferromagnéticos, paramagnéticos e diamagnéticos.
O material dito paramagnético é aquele que apresenta uma permeabilidade magnética
A
nula
B
cerca de mil vezes inferior à do vácuo
C
ligeiramente menor do que a do vácuo
D
pouco maior do que a do vácuo
E
de cem a mil vezes maior do que a do vácuo
Maior seletividade em processos de corrosão de SiO2 em comparação com Si, é obtida com misturas de gases incluindo:
A
O2 e SF6
B
Cl2 e H2
C
Cl2 e Ar
D
CF4 e H2
E
SF6 e H2
A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de
A
junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
B
junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
C
junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
D
junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
E
junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.
Quais as principais vantagens de plasmas de alta densidade tipo ICP (acoplamento indutivo) em comparação com plasmas
com acoplamento capacitivo, para processos de corrosão?
A
Maior aquecimento de amostras durante a corrosão.
B
Controle independente de densidade do plasma e da autopolarização (self-bias).
C
Taxas de corrosão mais altas.
D
Danos em materiais menores.
E
Pressão de gás menor.
Qual a principal aplicação de plasmas na microeletrônica?
A
Litografia.
B
Limpeza de amostras.
C
Metalização.
D
Corrosão seca.
E
Corrosão úmida.
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.
A
As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
B
A implantação de íons de 31P+
C
A implantação de íons de 11B+
D
A implantação de íons de 75As+
E
As implantações de 75As+ e 11B+ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de 31P+ destruirá mais.
Considere as afirmativas abaixo.
I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.
II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.
III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
A
Apenas I está correta.
B
Apenas II está correta.
C
Apenas III está correta.
D
Apenas II e III estão corretas.
E
Apenas I e III estão corretas.
Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.
A
Dielétrico de porta em estrutura metal-óxido-substrato (MOS).
B
Camada de isolação entre camadas de silício/polissilício e metais.
C
Agente catalizador da difusão para dopagem.
D
Máscara em processos de corrosão.
E
Camada de passivação e proteção.
No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com
profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
A
Em torno de 1010 cm-2
B
Em torno de 1011 cm-2
C
Em torno de 1012 cm-2
D
Em torno de ou maior que 1014 cm-2
E
Entre 1012 cm-2 e 1013 cm-2
O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos
com diâmetros maiores que 200 mm
A
é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
B
é o de tubo horizontal.
C
é o de placas paralelas.
D
é o de substrato único.
E
é o de tubo vertical.
Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de
A
silicetos na estrutura desalinhada.
B
silicetos na estrutura auto-alinhada.
C
silicetos na estrutura.
D
tungstênio na estrutura auto-alinhada.
E
tungstênio na estrutura desalinhada.
Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?
A
É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
B
É a energia da banda de condução.
C
É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
D
É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
E
É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.
A
75As+,
B
31P+
C
11B+
D
Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si.
E
Os íons de 31P+ e 11B+ penetrarão com a mesma profundidade no Si.
Havendo um relé com configuração de contato do tipo NF conectado a um circuito elétrico, esse circuito permanecerá fechado enquanto o relé não for energizado por corrente. Após a energização, a conexão física entre o contato fixo e o móvel do relé se abrirá, interrompendo o fluxo de corrente no circuito.
C
Certo
E
Errado
Em um dispositivo semicondutor, o movimento dos portadores de carga por deriva deve-se
A
ao movimento aleatório resultante da agitação térmica no material semicondutor.
B
à tensão do substrato.
C
à aplicação de um campo elétrico no material semicondutor.
D
à dopagem do material semicondutor.
E
à corrente de base.
O cálculo da condutância elétrica de uma chapa de cobre com 1 m de comprimento, 4 cm de largura, 8 mm de espessura e resistividade igual a 
cm apresentará resultado superior a 15 kS.
C
Certo
E
Errado
A
polarizadores ópticos.
B
filtros ópticos.
C
amplificadores ópticos.
D
colimadores ópticos.
E
atenuadores ópticos.
Dentro de toda a extensão de um corpo formado por um condutor elétrico perfeito, o potencial elétrico é o mesmo em qualquer ponto do corpo.
C
Certo
E
Errado
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
C
Certo
E
Errado
As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.
C
Certo
E
Errado
Gerar simulado