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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Um diodo ideal formado por uma junção p-n comporta-se como um circuito aberto, quando inversamente polarizado, e como um curto-circuito, quando diretamente polarizado.
C
Certo
E
Errado
Elementos como silício, gálio, arsênio e fósforo são adequados para a fabricação de LED, permitindo a irradiação da luz em diversas faixas de frequência.
C
Certo
E
Errado
Qual material apresenta o melhor desempenho com relação à redução de impedâncias parasitárias quando utilizado para a
fabricação de placas de circuito impresso para aplicações em altas frequência (2,4 GHz)?
A
Fenolite.
B
Fibra de vidro.
C
Cobre.
D
Plástico.
E
Alumina.
Um condutor sólido de seção circular de 6 mm2, com 200 m de comprimento e resistividade de 0,017 Ω mm2/
A
0,06 Ω
B
0,57 Ω
C
20,2 Ω
D
70,6 Ω
E
90,8 Ω
A maneira mais tradicional para medição da resistência de folha e que permite maior precisão é através da estrutura
A
Early.
B
Kelvin.
C
Fermi.
D
de resistência simples.
E
de Van der Pauw.
Maior anisotropia na corrosão de Si por plasma é obtida em misturas de gases com inclusão de gases:
A
SF6
B
CF4
C
Cl2
D
HBr
E
CH4
Qual a finalidade da fase do processo RIE chamada breakthrough?
A
Corrosão da camada de oxido nativo.
B
Corrosão do filme de Si.
C
Remoção de fotorresiste.
D
Limpeza da amostra.
E
Remoção de silício sobrando depois da corrosão.
Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:
1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes
2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga
nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs
3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado
Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
A
Apenas a primeira.
B
Apenas a segunda.
C
Apenas a terceira.
D
Apenas duas delas.
E
Todas as três.
Para medida de resistência de um material a ser caracterizado, pode ser utilizada uma estrutura formada por uma linha do
material com contatos metálicos nos 2 (dois) terminais das extremidades. Para este tipo de medida, analise as assertivas a
seguir:
I) Este tipo de estrutura permite a medição de resistências com precisão.
II) A medição com esta estrutura permite minimizar o efeito de resistências parasitárias.
Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:
A
As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
B
As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
C
A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
D
A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
E
Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.
A remoção de fotorresiste por plasma (Ashing) é realizada utilizando descarga em quais gases?
A
Cl2
B
SF6
C
CF4
D
O2
E
N2
Em processo RIE, com aumento da potência de gerador:
A
Aumenta a seletividade e taxa de corrosão.
B
Aumenta a anisotropia e a taxa de corrosão.
C
Melhora a seletividade de corrosão.
D
Diminui a taxa de corrosão.
E
Diminui a temperatura da amostra.
Anisotropia em processos de corrosão por plasma é consequência de:
A
Ativação química dos gases por plasma.
B
Aquecimento de amostra.
C
Aquecimento de gás.
D
Aceleração de elétrons.
E
Formação de bainha e self-bias.
Leia atentamente as afirmativas abaixo.
I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.
II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.
III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.
Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)
A
apenas I.
B
apenas II.
C
apenas III.
D
apenas II e III.
E
apenas I, II e III.
Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.
I – Dopagem por difusão.
II – Dopagem in situ.
III – Implantação iônica.
Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.
A
Apenas I é utilizada.
B
Apenas II é utilizada.
C
Apenas III é utilizada.
D
Apenas I e II são utilizadas.
E
I, II e III são utilizadas.
Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.
A
Deposição de fotorresite.
B
Deposição de poliimida.
C
Metalização.
D
Deposição de epóxi.
E
Deposição de camada de vidro com propriedades semelhantes ao dióxido de silício.
A principal técnica utilizada para detecção de ponto final de corrosão de Si é:
A
Elipsometria.
B
Perfilometria.
C
Espectroscopia de emissão ótica.
D
Sonda Langmuir.
E
Espectrometria de massa.
Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.
I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.
II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.
III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação
do nitreto de silício.
A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)
A
apenas I.
B
apenas II.
C
apenas III.
D
apenas I e II.
E
apenas I, II e III.
No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre
A
um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à
ruptura.
B
uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o
filme à ruptura.
C
uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o
filme à ruptura.
D
um aumento de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme
à ruptura.
E
uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando
o filme à ruptura.
Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?
A
Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
B
Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
C
Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
D
Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
E
Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.
Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?
1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.
2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.
3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.
Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):
A
1.
B
1, 2 e 3.
C
2.
D
1 e 2.
E
2 e 3.
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