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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Leia as afirmativas abaixo.
I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo
P.
II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo
P.
III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.
Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).
A
Apenas I está correta.
B
Apenas II está correta.
C
Apenas III está correta.
D
Apenas I e II estão corretas.
E
Apenas II e III estão corretas.
Leia atentamente as afirmativas abaixo:
I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.
II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface
do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO2), em que ocorre a reação de oxidação do silício.
III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.
IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a
partir de 300 ângstrons.
Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.
A
Apenas I e IV são verdadeiras.
B
Apenas II e III são verdadeiras.
C
Apenas III e IV são verdadeiras.
D
Apenas II e IV são verdadeiras.
E
Apenas II, III e IV são verdadeiras.
Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para
levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.
A
Elipsometria espectral.
B
Espectrometria de massa por íons secundários.
C
Levantamento do perfil capacitância-voltagem.
D
Resistência ao espalhamento.
E
Fotoluminescência.
Analise as afirmativas abaixo:
I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.
II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por
difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).
III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água
(H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.
A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)
A
apenas I.
B
apenas II.
C
apenas III.
D
apenas I e II.
E
apenas II e III.
Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?
A
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
B
Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
C
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
D
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de
600ºC.
E
Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de
1000ºC.
Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?
A
Selecionar a dose do feixe de íons.
B
Selecionar a energia do feixe de íons.
C
Selecionar a massa do íon.
D
Selecionar a corrente do feixe de íons.
E
Selecionar o ângulo de inclinação da lâmina para implantação.
Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?
A
Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
B
Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.
C
Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e não manter a uniformidade do processo.
D
Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
E
Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.
A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado
abaixo. Assinale-o.
A
Silício policristalino com grãos menores que 1 micrometro em sua maior dimensão.
B
Silício policristalino com grãos menores que 0,5 micrometro em sua maior dimensão.
C
Silício monocristalino obtido pelo processo de refusão zonal.
D
Silício monocristalino obtido pelo processo de Czochralski.
E
Silício amorfo apassivado com Hidrogênio.
A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do
óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?
A
Cerca de 660 nm
B
Cerca de 330 nm
C
Cerca de 550 nm
D
Cerca de 440 nm
E
Cerca de 220 nm
Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?
A
Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO2/Si.
B
Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110).
C
Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO2/Si.
D
Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si3N4/Si.
E
Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).
A
2212,5 Å.
B
4071 Å.
C
4425 Å.
D
2212,5 nm.
E
4450 nm.
A
I – Q , II – P , III – S
B
I – Q , II – S , III – R
C
I – P , II – Q , III – R
D
I – S , II – R , III – Q
E
I – R , II – Q , III – P
Os materiais mais usados para condução de energia elétrica são, EXCETO:
A
Prata.
B
Cobre.
C
Cloreto.
D
Bronze.
E
Latão.
Qual técnica de análise é um método não invasivo para a identificação e determinação da estrutura cristalina de materiais?
A
Microscopia eletrônica de varredura.
B
Microscopia eletrônica de transmissão.
C
Espectroscopia de elétrons Auger.
D
Difração de Raios-X.
E
Difração ótica.
A
0,2 V.
B
3 V.
C
2 V.
D
0,6 V.
E
0,06V.
Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de
Bola (Ball bonding)?
A
Alumínio.
B
Ferro.
C
Níquel.
D
Ouro.
E
Platina.
Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?
A
Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
B
Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
C
Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
D
Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
E
Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
Para detecção do ponto final de corrosão de lâminas de Si pela espectroscopia ótica, são utilizados sinais de emissão de
radicais presentes no plasma:
A
Radicais O
B
Radicais SF5
C
Radicais F
D
Radicais C
E
Radicais OH
As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:
A
Elipsometria e perfilometria.
B
Perfilometria, XPS e volatilmetria.
C
Espectrometria de massas.
D
Espectroscopia de emissão ótica e sondas elétricas tipo Langmuir.
E
XPS e MSS.
Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?
A
SiF4
B
SiF2
C
SiF3
D
SiF
E
SiF6
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