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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?
A
Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.
B
Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.
C
Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.
D
Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.
E
Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.
Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?
A
Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
B
Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
C
Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
D
Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
E
Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe
iônico incidente?
A
Frenagem eletrônica
B
Frenagem atômica
C
Frenagem nuclear
D
Frenagem magnética
E
Frenagem elétrica
Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco, cujos elétrons livres são suficientes para produzir uma corrente elétrica utilizável pela indústria. Os semicondutores extrínsecos precisam passar por um processo de dopagem para atingir essa condição.
C
Certo
E
Errado
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
C
Certo
E
Errado
Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.
C
Certo
E
Errado
Em material ferromagnético, a suscetibilidade magnética do meio deve ser nula.
C
Certo
E
Errado
Assinale a alternativa que apresenta um condutor de eletricidade:
A
Água salgada.
B
Baquelite.
C
Louça.
D
Plástico.
Por que alguns cabos de alumínio possuem uma “alma” de aço?
A
Para aumentar a condutividade elétrica.
B
Para diminuir a resistividade elétrica.
C
Para repelir o campo eletromagnético gerado pelo alumínio.
D
Para resistirem à tração mecânica.
Os terminais de um transistor bipolar de junção são denominados:
A
fonte, dreno e porta.
B
catodo, anodo e grade.
C
diodo, triodo e pentodo.
D
JFET, MOSFET e IGBT.
E
emissor, base e coletor.
A estrutura utilizada para medição de resistência de contato é a estrutura
A
Early.
B
Kelvin.
C
Fermi.
D
de resistência simples.
E
de Van der Pauw.
Na corrosão tipo RIE (reactive ion etching), o efeito sinergético aparece por causa de interação de que fatores?
A
Alta temperatura dos elétrons e dos íons.
B
Alta energia de íons e o aquecimento da amostra.
C
Alta energia de íons e o aquecimento do eletrodo.
D
Bombardeamento iônico e amorfização do material por radicais reativos.
E
Irradiação da amostra por fótons UV e bombardeamento iônico.
Qual o intervalo típico da pressão de gases utilizados para corrosão tipo RIE?
A
1-10 Torr.
B
0,1-10 mTorr.
C
10-100 mTorr.
D
100-760 Torr.
E
1- 10 Torr.
Qual principal vantagem dos plasmas RF em comparação com plasmas DC?
A
Facilidade de usar as fontes RF.
B
Material a ser corroído pode ser isolante.
C
Maior aquecimento de amostras.
D
Controle maior do processo.
E
Menor pressão de gás.
Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se:
1) Pode ser executado em temperatura ambiente.
2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada.
3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada.
Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?
A
Apenas a primeira.
B
Apenas a segunda.
C
Apenas a terceira.
D
Todas as três.
E
Apenas duas delas.
Para aumentar a anisotropia de corrosão por plasma RIE, é necessário:
A
Diminuir a potência e aumentar a pressão de gás.
B
Aumentar a frequência de gerador.
C
Diminuir a frequência de gerador.
D
Aumentar potência e diminuir a pressão de gás.
E
Aumentar potência e aumentar a pressão de gás.
Temperatura dos elétrons no plasma é maior em qual descarga?
A
ICP.
B
Acoplamento capacitivo.
C
Atmosférica.
D
Plasma remoto.
E
ECR.
Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício.
I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que
a oxidação úmida.
II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.
III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da
espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)
A
Apenas I está correta.
B
Apenas II está correta.
C
Apenas III está correta.
D
Apenas I e III estão corretas.
E
Apenas II e III estão corretas.
Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com
profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
A
Em torno de 1 MeV.
B
Em torno de 100 keV.
C
Em torno de 10 MeV.
D
Em torno de 50 keV.
E
Em torno de 1 keV.
Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.
I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.
II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.
III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).
A
Apenas I é verdadeira.
B
Apenas II é verdadeira.
C
Apenas III é verdadeira.
D
Apenas I e III são verdadeiras.
E
Apenas II e III são verdadeiras.
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