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Questões de Concurso sobre Ciências dos Materiais
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Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a
implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?
A
Não, somente com inclinação.
B
Sim, com rotação e inclinação da lâmina.
C
Não, pois a lâmina de Si tem estrutura amorfa.
D
Não, pois com a lâmina de Si com orientação cristalina (100) não ocorre o efeito de canalização.
E
Sim, mas não precisa da inclinação.
O implantador de íons é do tipo:
A
Acelerador de partículas.
B
Sistema de corrosão por plasma.
C
Sistema sputtering.
D
Sistema de deposição por plasma.
E
Tubo de Raios Catódicos.
Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta
rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície.
O processo de deposição ora descrito é conhecido como
A
deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
B
deposição química de vapor melhorada por plasma.
C
spin-on.
D
deposição física a altas temperaturas.
E
deposição física por Sputtering.
A
14 horas.
B
1390 horas.
C
5 minutos.
D
1390 segundos.
E
1390 minutos.
A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é
A
spin-on.
B
deposição física a partir de vapor por Sputtering.
C
deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
D
deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
E
deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.
O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque
I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício.
II – pode ser obtido em baixas temperaturas.
III – possui ótima aderência ao substrato de silício.
Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.
A
Apenas I é verdadeira.
B
Apenas II é verdadeira.
C
Apenas III é verdadeira.
D
Apenas II e III são verdadeiras.
E
I, II e III são verdadeiras.
Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?
A
109- 1010 cm-3
B
1011- 1012 cm-3
C
107- 109 cm-3
D
Superior a 1013 cm-3
E
Inferior a 108 cm-3
Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da
estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções
da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:
A
Frenagem eletrônica e Frenagem nuclear.
B
Frenagem nuclear e Frenagem eletrônica.
C
Frenagem atômica e Frenagem eletrônica.
D
Frenagem nuclear e Frenagem atômica.
E
Frenagem eletrônica e Frenagem atômica.
As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que
apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a
técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
A
Tratamento térmico.
B
Concentração de dopante.
C
Tipo de dopante.
D
Ciclo térmico.
E
Rotação do spinner.
Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter
A
a destruição da camada implantada.
B
a reconstrução da camada implantada.
C
a resistividade da camada implantada.
D
a rugosidade da camada implantada.
E
a reflexão da camada implantada.
Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
A
Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
B
Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
C
Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
D
Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
E
Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.
Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do
processo?
A
Gaiola de Faraday com circuito integrador.
B
Fonte de íons.
C
Analisador Magnético.
D
Gaiola de Lorentz.
E
Fonte de átomos.
Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?
A
Oxidação térmica seca.
B
Recozimento térmico em ambiente inerte.
C
Deposição a partir da fase vapor.
D
Oxidação térmica úmida.
E
Tratamento térmico em ambiente de oxigênio.
Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é
A
o mecanismo simples.
B
a elevada temperatura.
C
a alta taxa de deposição.
D
ser isento de contaminação.
E
não ter vantagens.
Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais
isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em
temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?
A
São 1,1 eV e 9,0 eV.
B
São 1,1 eV e 2,0 eV.
C
São 6,0 eV e 9,0 eV.
D
São 9,0 eV e 1,1 eV.
E
São 9,0 eV e 2,0 eV.
Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?
1 -W e SiO2.
2 - SiO2 e Si3N4.
3 - Si3N4 e silício policristalino.
4 - Si3N4, SiO2 e silício policristalino.
A
Apenas 2 e 3.
B
Apenas 3 e 4.
C
Apenas 1, 2 e 3.
D
Apenas 2, 3 e 4.
E
1, 2, 3, e 4.
Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?
A
Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de
recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
B
Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de
reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
C
Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
D
Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do
substrato de Si.
E
Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo
de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
Dos aços relacionados abaixo, o que possui todas as especificidades para se fabricar um componente mecânico, cuja única propriedade relevante em serviço será a alta resiliência, é o aço
A
AISI H11.
B
AISI 405.
C
AISI 1045.
D
carbono comum, com 0,2% de carbono.
E
carbono comum, euteoide.
Alguns dos objetivos do tratamento térmico de recozimento são proporcionar o alívio de tensões, a redução da resistência mecânica e o aumento da tenacidade, promovidos pelas mudanças induzidas ao material. Os processos de recozimento consistem em uma sequência de etapas descritas nos itens a seguir.
1 - Aquecimento até a temperatura desejada.
2 - Manutenção ou encharque na temperatura.
3 - Aquecimento até a temperatura crítica.
4 - Resfriamento geralmente até a temperatura ambiente.
A sequência correta de etapas realizada nos processos de recozimento é
A
1, 2 e 4.
B
1, 3 e 4.
C
1, 4 e 2.
D
3, 2 e 4.
E
1, 2, 3 e 4.
Os ensaios de dureza permitem a determinação de uma importante propriedade mecânica dos materiais, sendo o ensaio de dureza Brinell um dos mais aplicados. Nesse contexto, sabe-se que
A
a dureza Brinell relaciona a carga aplicada com a área superficial da impressão e utiliza um penetrador de diamante com o formato de uma pirâmide de base quadrada.
B
a dureza Brinell é o cociente entre a carga aplicada e a área da calota esférica produzida pela penetração de uma esfera.
C
o ensaio de dureza Brinell não é indicado para materiais com estrutura interna não uniforme, como, por exemplo, o ferro fundido cinzento.
D
o ensaio de dureza Brinell é um ensaio de dureza por penetração, sendo indicado para caracterizar peças que tenham sofrido tratamentos superficiais.
E
o ensaio de dureza Brinell é um ensaio de dureza por risco e permite a determinação da dureza de materiais frágeis, como o vidro, e de camadas finas, como as películas de tintas.
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