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Questões de Concurso sobre Dispositivos de Lógica Programável (PLD)
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Os transmissores pneumáticos
A
têm como principal vantagem a possibilidade de uso em
ambientes explosivos, como em uma central de gás.
B
são utilizados para linhas de grande comprimento, por
não apresentarem atraso de sinal.
C
são mais utilizados em linhas onde é necessário gerar
torques elevados nos comandos de válvula.
D
dispensam tratamento prévio do ar da linha.
E
podem ser conectados diretamente aos computadores
de vazão.
Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional
(acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:
A
Danos menores durante ICP.
B
Danos menores durante RIE.
C
Depende da temperatura do processo.
D
Depende da temperatura do gás.
E
Depende do tamanho da lamina.
Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste
dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é
A
corte.
B
saturação.
C
linear.
D
triodo.
E
inversão.
Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um
processo CMOS padrão moderno?
A
Oxidação.
B
Deposição química a vapor.
C
Deposição química a vapor.
D
Corrosão por plasma.
E
Funcionalização da superfície.
Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos
terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que
A
é praticamente uma reta horizontal, uma vez que a variação da capacitância em função da tensão é muito pequena.
B
possui um valor mínimo, porém tende a infinito conforme a tensão varia.
C
pode ser dividida em três regiões: região de acumulação, região de depleção e região de inversão.
D
possui um valor máximo, porém tende a zero conforme a tensão varia.
E
não é uma curva contínua, já que para alguns valores de tensão a capacitância muda bruscamente de valor, devido aos
mecanismos de difusão de portadores.
No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?
A
A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor.
B
A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.
C
A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor.
D
A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta.
E
A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.
A
Capacitor MOS.
B
Diodo de heterojunção.
C
Transistor MOSFET de canal N.
D
Diodo de homojunção.
E
Transistor MOSFET de canal P.
O que é a técnica de fotolitografia?
A
É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos
eletrônicos.
B
É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde
estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
C
É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos
eletrônicos.
D
É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos
eletrônicos.
E
É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
São características extraídas dos transistores MOS:
A
Curva de corrente versus tensão e curva de capacitância versus tensão entre catodo e anodo.
B
Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de base versus tensão entre base e
emissor.
C
Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno
e fonte.
D
Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de base versus tensão entre base e
emissor.
E
Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e
fonte.
O no-break com topologia stand-by é o mais utilizado para a alimentação de computadores pessoais. Nessa configuração, o circuito inversor, que converte tensão alternada em contínua, é alimentado somente quando ocorre falta de energia na fonte primária.
C
Certo
E
Errado
Ocorre o fim da temporização ajustada para o temporizador, quando a saída Q é ativada.
C
Certo
E
Errado
Um transformador é formado basicamente de
A
isolamento e rotor.
B
enrolamento e núcleo.
C
estrator e pressostato.
D
relé de gás e humidostato.
E
conversor e frequencímetro.
Dentre os dispositivos eletrônicos, qual o mais indicado para chaveamento e controle de grandes capacidades de corrente?
A
PUT
B
Diodo Zener
C
UJT
D
SCR
E
DIAC
Sobre os transformadores é INCORRETO afirmar que
A
são máquinas elétricas usadas para elevar ou abaixar a tensão de corrente alternada de um circuito.
B
consiste em um enrolamento primário ou secundário com uma corrente constante que flui por um dos enrolamentos.
C
realizam a modificação da tensão operando com a mais alta eficiência, chegando a 98%.
D
as capacidades são padronizadas
E
podem ser monofásicos e trifásicos.
O circuito inversor do no-break com topologia do tipo linha interativa, diferentemente do que ocorre no no-break stand-by, está sempre conectado à saída e apresenta transientes de comutação mais reduzidos.
C
Certo
E
Errado
Transdutores que respondem com variação de carga elétrica a uma aplicação de força são sensores
A
miscelâneos.
B
com efeito Hall.
C
piezoelétricos.
D
fotovoltaico.
E
de reatância variável.
Os transmissores elétricos
A
dispensam proteção quanto a ruídos elétricos.
B
permitem que um mesmo sinal de 4-20 mA seja lido
por vários instrumentos.
C
podem ser facilmente instalados em áreas explosivas.
D
apresentam grandes perdas para longas distâncias.
E
apresentam razoável atraso de sinal para linhas com
mais de 1.000 m de comprimento.
Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as
seguintes assertivas:
I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão
de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em
torno da interface entre os materiais.
II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com
que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de
uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão.
Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:
A
As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
B
As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
C
A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
D
A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
E
Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.
Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:
A
Tensão de limiar.
B
Região de operação.
C
Tensão de Early.
D
Mobilidade.
E
Corrente de sub-limiar.
Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas IDS x VDS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:
I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS) deve sempre ser nulo.
II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (IDS) e medição da tensão entre dreno e fonte (VDS) para um valor fixo de VGS.
III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de VGS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.
Estão corretas as sentenças:
A
I
B
I e II
C
II
D
II e III
E
III
Gerar simulado