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Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa essencial. Para obter a saturação como modo de operação, é comum garantir a formação do canal n e fazer a interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração é amplamente utilizada para projeto de espelhos de corrente. Nessa configuração, os terminais curtos-circuitados são (A) porta e fonte. (B) fonte e dreno. (C) porta e dreno. (D) corpo e porta
porta e fonte.
fonte e dreno.
porta e dreno.
corpo e porta.