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Questões de Concurso sobre Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes
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Considere que a resistência de contato associada a determinado conector seja medida por meio de tensões de medição próximas de 0 volt. Nessa situação, se for observada uma relação quadrática entre a corrente e a tensão, então este é um contato ôhmico, em que a corrente é diretamente proporcional à área do contato entre os dois metais.
C
Certo
E
Errado
Considere outro cilindro semelhante ao referido acima, cuja única diferença em relação ao cilindro descrito seja quanto à área da seção circular, que é maior que a do cilindro original. Em face dessas informações, é correto afirmar que a resistência elétrica total entre os dois extremos circulares desse outro cilindro será inferior à do cilindro original.
C
Certo
E
Errado
A
0,56 V
B
0,85 V
C
1,12 V
D
1,42 V
E
Nenhuma das anteriores.
A difusão e a deriva são os mecanismos responsáveis pela movimentação de lacunas e elétrons em um cristal de silício. A deriva está associada ao movimento aleatório dos elétrons e das lacunas, em decorrência da agitação térmica, e, por isso, a corrente de deriva é diretamente proporcional ao gradiente de concentração de portadores. Por outro lado, a corrente de difusão de elétrons ou de lacunas é diretamente proporcional à intensidade do campo elétrico.
C
Certo
E
Errado
Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é
incorreta?
A
Há mais de um sistema amplamente utilizado para a classificação do nível de pureza do ar de salas limpas.
B
O ambiente da sala limpa onde se realiza a etapa de fotolitografia deve ser iluminado com luz amarelada apropriada.
C
Segundo um mesmo critério de avaliação, uma sala limpa classe 100 exibe maior nível de pureza que outra classe 1000.
D
A pressão dentro de um ambiente de sala limpa em microeletrônica deve ser positiva.
E
Para se utilizar uma sala limpa deve-se utilizar vestimenta especial com tecido isolante elétrico.
Em condutores metálicos, o aumento da temperatura do corpo do metal reduz a resistividade ρ do material, em razão do aumento do grau de agitação dos elétrons no material, provocado pelo aumento da temperatura.
C
Certo
E
Errado
Ano:
2012
Banca:
Fundação Carlos Chagas - FCC
Em cabos elétricos, é necessário que a isolação tenha
A
alta condutibilidade elétrica e baixo coeficiente de temperatura.
B
alta permeabilidade magnética e alto coeficiente de temperatura.
C
baixa permeabilidade magnética e baixa rigidez dielétrica.
D
alta resistividade e alta rigidez dielétrica.
E
alta resistividade e baixa rigidez dielétrica.
Sobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo é correta?
A
Apenas utiliza-se o Si encontrado em sua forma monocristalina na natureza.
B
O Si de células solares policristalinas tem pureza comparável ao Si para a microeletrônica.
C
O Si utilizado em microeletrônica é encontrado em forma de silicato e sofre sucessivas etapas de destilação fracionada.
D
O Si é encontrado policristalino na natureza, depois é derretido, purificado e recristalizado através de choque térmico.
E
Durante a cristalização do Si, são acrescentados átomos de germânio para aumentar a mobilidade dos elétrons.
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para baixas energias do feixe
iônico incidente?
A
Frenagem eletrônica
B
Frenagem atômica
C
Frenagem nuclear
D
Frenagem magnética
E
Frenagem elétrica
Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de
vanguarda, pode-se dizer que
A
o alumínio é o metal mais comumente utilizado.
B
o silício monocristalino tipo p é o material mais comumente utilizado.
C
o silício policristalino fracamente dopado é o material mais comumente utilizado.
D
as ligas de silício com metal refratário são os materiais mais comumente utilizados.
E
o silício monocristalino tipo n é o material mais comumente utilizado.
No caso de materiais isolantes, a banda de energia dos elétrons da camada de valência está separada da banda de energia da camada de condução por uma grande lacuna (gap) de energia, denominada banda proibida.
C
Certo
E
Errado
A condutividade de material submetido a determinada excitação independe da frequência, mas sempre depende da temperatura.
C
Certo
E
Errado
A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita
A
a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa
velocidade de operação do dispositivo.
B
a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
C
a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
D
a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
E
a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é
A
o mecanismo simples.
B
a elevada temperatura.
C
a alta taxa de deposição.
D
ser isento de contaminação.
E
não ter vantagens.
O fenômeno acústico que consiste no prolongamento de um som causado pela reflexão após o fim da emissão por uma fonte sonora denomina-se
A
eco.
B
diafonia.
C
ressonância.
D
dispersão.
E
reverberação.
A
falhas no isolamento dos condutores b, c e d.
B
falha no isolamento e descontinuidade (ruptura), respectivamente, nos condutores a e b.
C
descontinuidade (ruptura) no condutor a.
D
descontinuidade (ruptura) no condutor b.
E
descontinuidades (rupturas) nos condutores a e b.
A integral de Joule de cabos e componentes, como disjuntores, é determinada usualmente por meio de simulações computacionais, em que cada componente é representado por um circuito elétrico equivalente apropriado. A realização de ensaios para determinar a referida curva é um procedimento dispendioso e, por isso, pouco utilizado.
C
Certo
E
Errado
A fórmula matemática que representa a relação correta entre tensão vc e corrente ic em um capacitor de capacitância igual a C envolvendo o tempo t é
A
B
C
D
E
O Fator de Qualidade Q de um indutor
A
depende apenas da sua frequência de operação.
B
depende da sua resistência e capacitância equivalente.
C
depende de sua resistência e frequência de operação.
D
depende apenas da qualidade dos materiais utilizados na sua construção.
E
independe da sua frequência de operação.
Os condutores utilizados nas instalações residenciais, comerciais ou industriais de baixa tensão poderão ser de cobre ou de alumínio, com isolamento de PVC ou de outros materiais previstos por normas, como EPR ou XLPE. Sobre o assunto, assinale a alternativa que apresenta as prescrições de projeto dos condutores.
A
A seção dos condutores fase deve ser determinada de forma que seja atendido, no mínimo, o critério da capacidade de condução de corrente, que deverá ser igual ou superior à corrente de projeto do circuito, incluindo as componentes harmônicas, afetadas pelos fatores de correção aplicáveis.
B
Em circuitos de sinalização e controle, destinados a equipamentos eletrônicos, é admitida uma seção mínima dos condutores e cabos isolados de fase de 0,75 mm².
C
O condutor neutro de um circuito monofásico deverá ter a mesma seção do condutor de fase.
D
Em qualquer ponto de utilização da instalação, a queda de tensão verificada não deve ser superior a 4%, em relação ao valor da tensão nominal da instalação, calculado a partir do ponto de entrega.
E
Para a instalação de condutores de mais de um circuito no mesmo conduto fechado é necessário somente que os circuitos pertençam à mesma instalação, isto é, se originem do mesmo dispositivo geral de manobra e proteção.
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