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Questões de Concurso sobre Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes
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C
Certo
E
Errado
A corrosão consiste na deterioração dos materiais pela ação química ou eletroquímica do meio, podendo estar ou não associada a esforços mecânicos. Ao se considerar o emprego de materiais na construção de equipamentos ou instalações é necessário que estes resistam à ação do meio corrosivo, além de apresentar propriedades mecânicas suficientes e características de fabricação adequadas. Em relação à taxa de corrosão, as afirmativas abaixo estão corretas, EXCETO:
A
A ddp pode ser influenciada pela superfície de contato nas áreas anódicas e catódicas.
B
A taxa de corrosão não depende da diferença de potencial entre áreas anódicas e catódicas.
C
A ddp pode ser influenciada pela resistividade do eletrólito.
D
A taxa de corrosão depende da resistência de contato das áreas anódicas e catódicas.
E
Addp pode ser influenciada pelos fenômenos de polarização e passivação.
Usando o fato de que um diodo de silício tem Is=10-14 A a 25 oC e que Is aumenta em 15% por oC de aumento na temperatura, o valor de Is a 125oC será, aproximadamente,
A
1,17x10-8 A.
B
2,25x10-10 A.
C
6,82x10-8 A.
D
5,93x10-10 A.
C
Certo
E
Errado
C
Certo
E
Errado
À medida que ocorre a ionização térmica, ocorre a criação de elétrons e lacunas. Em um cristal de silício intrínseco, a concentração de elétrons livres por centímetro cúbico é diretamente proporcional ao quadrado da temperatura, enquanto a concentração de lacunas é inversamente proporcional à raiz quadrada da temperatura.
C
Certo
E
Errado
Das alternativas citadas abaixo, assinale a que não corresponde a um exemplo de material isolante:
A
vidro
B
ferro
C
borracha
D
cerâmica
Se todas as características citadas do cilindro forem mantidas constantes e se ele for cortado de forma que seu comprimento seja reduzido a 99% do comprimento original, então a resistência elétrica total entre os dois extremos circulares do novo cilindro irá diminuir em relação à resistência original.
C
Certo
E
Errado
Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as
regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte
requisito:
A
máxima penetração na junção.
B
alta resistividade.
C
alta rugosidade.
D
existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
E
Reação ao SiO2 durante as temperaturas de silicetação.
Com relação aos silicetos em contatos, pode-se afirmar que
A
em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
B
em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e manter a integridade da junção.
C
em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e manter a integridade da junção.
D
em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
E
em contatos os silicetos não são utilizados.
No projeto de um circuito integrado analógico, frequentemente é necessária a inclusão de capacitores no chip. Em uma
tecnologia CMOS padrão com 3 camadas de metal, 2 camadas de polisilício e poço n, qual dos capacitores abaixo tem sua
capacitância mais sensível a variações de tensão?
A
Capacitor de placas paralelas polisilício1-polisilício2.
B
Capacitor de placas paralelas metal1-metal3.
C
Capacitor de placas paralelas metal1 – polisilício1.
D
Capacitor MOS no poço n.
E
Capacitor de polisilício2 interdigitado.
Um cristal de silício intrínseco possui uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações covalentes, formadas por quatro elétrons de valência. Em temperaturas suficientemente baixas, todas as ligações covalentes permanecem completas, porém, à temperatura ambiente, algumas ligações covalentes são rompidas pela ionização térmica, bem como alguns elétrons são libertados.
C
Certo
E
Errado
Materiais cuja permeabilidade magnética (μr) corresponde a 1 são classificados como materiais magnéticos, ao passo que os materiais que não possuem essa permeabilidade são classificados como não magnéticos.
C
Certo
E
Errado
A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos
fundamentalmente diversos.
Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:
A
A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários.
B
A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários.
C
Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n.
D
A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n.
E
Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários
demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.
Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em
condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são
controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de
dispositivos semicondutores de portadores minoritários
A
Os diodos Schottky e os transistores bipolares de junção.
B
Os tiristores e os IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors – Transistores Bipolares com Porta Isolada).
C
Os JFET (Junction Field Effect Transistors – Transistores de Efeito de Campo de Junção) e os MOSFET (Metal-Oxide
Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-Semicondutor).
D
Os diodos Schottky e os diodos PIN.
E
Os MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-
Semicondutor) e os SCR (Silicon Controlled Rectifier – Retificador Controlado de Silício).
O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque
A
aumenta a mobilidade dos elétrons.
B
aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
C
aumenta a mobilidade dos íons.
D
aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
E
diminui a mobilidade dos átomos na superfície.
A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).
II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).
III – a passivação da superfície do wafer.
Assinale a alternativa correta.
A
I, II e III estão corretas.
B
Apenas II e III estão corretas.
C
Apenas I e III estão corretas.
D
Apenas I e II estão corretas.
E
Apenas II está correta.
Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados
com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?
A
Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET.
B
Inclusão de transistores bipolares no chip.
C
Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal.
D
Aumento no número de camadas de metal para trilhas.
E
Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip.
As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:
A
Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta
mobilidade iônica.
B
A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.
C
A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.
D
Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO2.
E
A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.
A condutividade dos metais geralmente aumenta significativamente com o aumento da temperatura, como é o caso do que ocorre com o chumbo e o alumínio.
C
Certo
E
Errado
Gerar simulado