Questões de Concurso sobre Eletromagnetismo

Tensão (V)

Com relação ao gráfico acima, que representa as curvas 𝐼 − 𝑉 dos diodos convencionais de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠, considere as seguintes afirmativas:

I- Os valores aproximados das barreiras de potencial dos diodos de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠 são: 0,3 𝑉; 0,7 𝑉 e 1,1 𝑉, respectivamente.

II- A corrente de saturação dos três diodos pode ser calculada pela seguinte expressão matemática: 𝐼𝑠 =$A{n}_i^2\left(\frac{D_p}{L_p{N}_a}+\frac{D_n}{L_n{N}_d}\right)$.

III- Comparando as curvas 𝐼 − 𝑉 do gráfico em questão, pode-se verificar que o diodo de 𝐺𝑒 apresenta o menor valor de corrente de saturação 𝐼_𝑆, em relação aos demais diodos.

IV- A resistência interna dos três diodos é menor do que 20 Ω.

Está(ão) correta(s) a(s) afirmação(ões):

Uma distribuição contínua de cargas elétricas gera, em uma região limitada do espaço tridimensional, linhas de campo eletrostático, cujo vetor campo elétrico pode ser aproximado por: $\overrightarrow{E}$ (𝑥, 𝑦, 𝑧) = [(𝑒^−4𝑥) $\hat{i}$ − (5. 2^−𝑦)$\hat{J}$ + (6. 𝑧⁻²)$\hat{k}$ ]⌊𝑁/𝐶⌋. Sabe-se que o potencial elétrico criado por essa distribuição de cargas exibe valor de 6 𝑉 no ponto de coordenadas 𝑨 = 10$\hat{i}$ + 1$\hat{J}$ + 1$\hat{k}$.

Baseado nessas informações, a alternativa que corresponde ao valor do potencial elétrico no ponto de coordenadas 𝑩 = 10$\hat{i}$ + 1$\hat{J}$ + 3$\hat{k}$ é:

Considere um capacitor, inicialmente descarregado, constituído de duas placas paralelas idênticas, cuja distância entre elas é muito menor que as suas dimensões geométricas. As placas estão imersas no vácuo e centradas nas coordenadas 𝑷𝟏 = (𝑥 = 0, 𝑦 = − 0,5, 𝑧 = 0) 𝑒 𝑷𝟐 = (𝑥 = 0, 𝑦 = + 0,5, 𝑧 = 0).

Esse capacitor é, então, conectado à uma fonte de tensão contínua. Assinale a alternativa que descreva corretamente a direção do vetor densidade de corrente de deslocamento, o comportamento do módulo da corrente de deslocamento e o plano de circulação do campo magnético no interior do capacitor, respectivamente, durante o processo de carregamento.

Um transistor p-n-p apresenta as seguintes especificações de fabricante:

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Considerando que o dispositivo opera em regime estacionário, o valor aproximado do fator de amplificação do transistor é:

Uma espira circular constituída de prata e de raio 𝑅 está centrada na origem do referencial tridimensional, cuja circunferência localiza-se no plano 𝑥𝑦. Na região onde se encontra a espira, liga-se, então, um campo magnético uniforme e de módulo variável no tempo, o qual está orientado na direção do eixo 𝑧.

Caso a espira inicial fosse substituída por outra constituída de silício (Si) levemente dopado com impurezas aceitadoras e de raio 2𝑅, pode-se afirmar que os valores de força eletromotriz induzida, corrente induzida e o sentido da corrente induzida, respectivamente, nessa nova configuração seriam:

São características das ondas eletromagnéticas, EXCETO:

A figura apresentada abaixo representa um método utilizado para localização do ponto de ocorrência de uma falta para terra em um cabo elétrico AB subterrâneo de baixa tensão com comprimento de 200 m. Um cabo CD em boas condições de uso e tendo as mesmas características (comprimento, seção transversal, resistividade e isolação) do cabo com defeito é utilizado para auxiliar na medição. Os terminais B e D são unidos por um cabo com baixa resistência. As ligações com a terra são excelentes.

Um dos fenômenos físicos que possibilitaram a construção de placas solares foi o chamado Efeito Fotoelétrico, observado nos anos finais do século XIX e explicado principalmente por Albert Einstein, o que lhe rendeu o prêmio Nobel de Física no ano de 1921. Esse fenômeno ocorre naturalmente na natureza e diz respeito à produção de corrente elétrica em um circuito a partir da incidência de luz em uma placa ligada ao circuito. Em resumo, o que foi observado nesse fenômeno é que a luz, ao incidir sobre uma placa metálica, ocasionava o aparecimento de uma corrente elétrica antes inexistente no circuito. Segundo seus conhecimentos, essa corrente aparece porque:

O avanço da tecnologia se deve muito ao desenvolvimento dos semicondutores. Quais componentes e/ou dispositivos abaixo são exemplos de semicondutores?

Em um laboratório de Física foram realizadas duas experiências com condutores elétricos:

1 – Na primeira, mediu-se a resistência elétrica de um condutor cilíndrico C1, constituído de um material metálico, ôhmico, de comprimento L e área transversal S. O valor obtido foi R1.

2 – Na segunda, mediu-se a resistência elétrica da associação em paralelo de quatro condutores cilíndricos, C2a, C2b, C2c e C2d, todos constituídos do mesmo material de C1, cada um com o mesmo comprimento L de C1 e cada um com um quarto (¼) da área transversal S, de C1. O valor obtido foi R2.

Nessas condições, quanto vale a razão R1/R2?