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Termistores são dispositivos semicondutores cuja resistência elétrica é sensível à temperatura. Devido a essa propriedade, eles são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos. Em um determinado termistor, sua relação entre temperatura e resistência pode ser determinada com precisão através de uma versão simplificada da equação de Steinhart-Hart, dada por:
𝑇−1 = 𝑎 + 𝑏 ln(𝑅) , onde 𝑇 é a temperatura em K, R é a resistência em Ω, e a,b são constantes. Sabe-se ainda que o termistor com temperatura 𝑇1 possui resistência 𝑅1, e que na temperatura 𝑇2 o valor de sua resistência dobra com relação a 𝑅1.
Nestas condições, o valor de 𝑇2−1 − 𝑇1−1 é:
𝑏 ln(2).
𝑎 + 𝑏 ln(2).
𝑎 + 𝑏 ln(𝑅1).
𝑎 + 𝑏 ln(2 𝑅1).
a+b ln(2R1)1.
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.
o transistor está no modo ativo quando a junção emissor-base está polarizada diretamente e a junção coletor-base está polarizada inversamente.
no modo corte não há corrente que flui entre o emissor e o coletor, porém pode haver um valor considerável de corrente pela junção emissor-base.
no modo saturação a corrente que flui na junção emissor-coletor é aproximadamente proporcional à corrente que passa pela junção emissor-base.
para realizar a amplificação de sinais, os transistores são geralmente polarizados para operarem no modo de saturação.
quando a junção emissor-base está polarizada inversamente e a junção coletor-base está polarizada diretamente o transistor está no modo saturação.
Uma fonte de alimentação chaveada baseada em conversor flyback utiliza um transistor NMOS para a comutação do enrolamento primário do transformador de alta frequência e conta com controle PWM em sua malha de controle realimentado. A respeito dos dispositivos semicondutores e circuitos integrados, assinale a alternativa correta.
Um MOSFET operando no modo intensificação só pode conduzir quando nenhum canal é induzido.
Os circuitos NMOS são mais difíceis de serem fabricados do que os circuitos CMOS, entretanto NMOS é a tecnologia mais empregada na fabricação de circuitos integrados.
O MOSFET canal N é formado em um substrato do tipo P, dado que seu canal é criado pela inversão da superfície do substrato do tipo P para o tipo N.
O terminal dreno é sempre negativo em relação ao terminal fonte no MOSFET canal N.
O MOSFET atuando como amplificador opera nas regiões de corte e triodo, já quando atua como chave, opera na região de saturação.
Seja o circuito com transistores bipolares da figura 3.
Figura 3

Assuma que no corte a tensão VCE tende a infinito e que na saturação a tensão VCE tende a zero. O valor da saída VS, para essa condição de polarização, é:
0V
2,5V
5V
10V
Acerca das características de resposta espectral e sensibilidade dos fotodiodos PIN, dos fototransistores e dos fotodiodos de avalanche, assinale a opção correta.
Fototransistores e fotodiodos de avalanche têm sensibilidades semelhantes e diferem significativamente dos fotodiodos PIN no que diz respeito à linearidade da resposta.
Fotodiodos PIN têm resposta espectral limitada ao infravermelho próximo, enquanto fototransistores e fotodiodos de avalanche são sensíveis a um espectro mais amplo, incluído o ultravioleta.
Fotodiodos PIN e fototransistores têm resposta espectral similar, e fotodiodos de avalanche possuem maior sensibilidade em baixas luminosidades.
Fotodiodos de avalanche são menos sensíveis que fototransistores e fotodiodos PIN e oferecem maior velocidade de resposta.
Fotodiodos PIN são mais sensíveis a variações rápidas de luz, enquanto fototransistores são melhores em detectar baixos níveis de luz e fotodiodos de avalanche são utilizados para detecções de alta precisão em espectros variados.
A adequação dos sinais de transdutores para uso em sistemas de aquisição de dados computadorizados é fundamental para assegurar medições precisas e confiáveis. Isso inclui o condicionamento dos sinais dos transdutores para atender aos requisitos específicos do sistema, como faixa dinâmica e resolução, garantindo assim a sua compatibilidade e eficácia na conversão analógico-digital.
Nesse contexto, considere um sistema em que um transdutor analógico é conectado a um conversor A/D por meio de um amplificador linear, onde este último tem a função de ajustar o nível de tensão que entra no conversor de modo a assegurar a melhor representação digital do sinal na conversão. Sabe-se ainda que a saída do transdutor analógico varia de 0mV a 100mV, enquanto a faixa de entrada do conversor analógico-digital é de 0V a 10V.
Nessas condições, o ganho de tensão do amplificador linear, em decibéis (dB), é:
10.
20.
40.
60.
100.
A Temperatura máxima da junção define a temperatura máxima que o diodo pode suportar, na junção, sem apresentar defeito. As temperaturas nominais de diodos de silício estão normalmente na faixa de:
-10ºC a +100ºC.
-20ºC a +100ºC.
-30ºC a +200ºC.
-40ºC a +200ºC.
Os retificadores controlados utilizam diodos como elementos de retificação.
Certo
Errado
Um engenheiro eletrônico, ao dimensionar os transistores do amplificador classe AB, depara-se com a especificação de dissipação máxima de 5 W em condições de temperatura ambiente de 25 °C. Considerando-se a temperatura máxima da junção de 150 °C, assinale a alternativa que apresenta o valor correto para a resistência térmica (θJmáx), a potência máxima que pode ser dissipada para temperatura de 45 °C (PDmáx) e o valor da temperatura da junção do transistor operando com potência de 1,5 W sob temperatura ambiente de 25 °C (TJ), respectivamente.
θJmáx = 55,3 ºC/W; PDmáx = 18,3 W e TJ = 85,3 °C.
θJmáx = 25 ºC/W; PDmáx = 4,2 W e TJ = 62,5 °C.
θJmáx = 32 ºC/W; PDmáx = 6,5 W e TJ = 78,5 °C.
θJmáx = 56 ºC/W; PDmáx = 9,3 W e TJ = 87,7 °C.
θJmáx = 12 ºC/W; PDmáx = 1,2 W e TJ = 44,8 °C
Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo
possuem uma maior transcondutância, resultando em um ganho de tensão mais elevado que os TBJs.
têm uma impedância de entrada muito alta, o que minimiza a carga no circuito de entrada e reduz a distorção do sinal.
dispõem de uma menor faixa dinâmica de operação, limitando sua utilidade em aplicações de amplificação de sinais de alta potência.
necessitam de uma corrente de porta significativa para operar corretamente, ao contrário dos TBJs que são controlados por tensão.
operam com uma impedância de saída mais baixa, proporcionando uma melhor transferência de potência ao estágio seguinte.
Uma configuração recorrente em estágios finais de amplificação, seja do tipo A, B ou AB, é a configuração coletor-comum, pois apresenta ganho de corrente
unitário, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.
unitário, ganho de tensão baixo e alta resistência de saída.
elevado, ganho de tensão unitário e baixa resistência de saída.
elevado, ganho de tensão unitário e alta resistência de saída.
elevado, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.
No estágio de saída de um amplificador classe B, é possível observar um par complementar de transistores que estão associados de modo a não possibilitar que entrem em condução simultaneamente. Considerando-se o amplificador classe B, alimentado por fonte simétrica, assinale a alternativa correta.
Os transistores do estágio classe B conduzem corrente não nula mesmo sem a presença de sinal em sua entrada.
Quando a tensão na entrada for igual a zero, os dois transistores estarão em corte e a tensão na saída será nula.
O efeito de distorção de cruzamento será mais pronunciado quando a amplitude do sinal de entrada for maior.
O cálculo do rendimento da conversão de potência é diretamente proporcional à distorção de cruzamento.
A saturação dos transistores em classe B não acarreta alterações na forma de onda do sinal.
O referido amplificador está na configuração coletor comum, que, tipicamente, possui um ganho não unitário positivo, alto ganho de tensão e ganho unitário de corrente
Certo
Errado
Considere o circuito a seguir para responder a esta questão. O Diodo verificado no circuito é de silício. Nestas condições, o circuito funcionando normalmente. Calcule a corrente média na carga e assinale a alternativa correta.

0,48 A
0,38 A
0,52 A
0,75 A
0,80 A
Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo enriquecimento.

Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:
• VT = 1 V;
•𝑘′𝑛 (𝑊⁄𝐿)= 1 mA/V²; e
• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).
A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a
0.
0,24.
0,32.
2,4.
3,2.
No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal.
Certo
Errado
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à largura do canal do MOSFET.
Certo
Errado
Antes do processo de recombinação, a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED vermelho.
Certo
Errado
O efeito de segunda ordem denominado efeito de corpo ocorre quando se aplica, ao terminal da fonte do transistor NMOS, uma tensão maior que a tensão de substrato, o que leva a um aumento do número de íons negativos da camada de depleção, sendo necessária uma maior tensão de limiar para formar o canal.
Certo
Errado
Considere as seguintes asserções sobre fontes de alimentação e seus componentes.
I. Uma fonte de alimentação é composta por transformador, retificador e regulador.
II. Dentre os vários sistemas de proteção contra um curto-circuito, um sistema limitador Foldback protege apenas a tensão de saída em um circuito.
III. O circuito retificador de onda completa em ponte é um circuito composto por quatro diodos.
IV. Um filtro capacitivo é ligado na saída de um circuito retificador que visa eliminar ruídos e ondulações, como também de estabilizar a tensão de saída, consequentemente, ele pode proteger equipamentos eletroeletrônicos.
Assinale a alternativa que apresenta apenas asserções corretas.
III, IV
I, II
I, IV
II, III