Questões de Concurso sobre Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos

 
 
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Termistores são dispositivos semicondutores cuja resistência elétrica é sensível à temperatura. Devido a essa propriedade, eles são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos. Em um determinado termistor, sua relação entre temperatura e resistência pode ser determinada com precisão através de uma versão simplificada da equação de Steinhart-Hart, dada por:


𝑇−1 = 𝑎 + 𝑏 ln(𝑅) , onde 𝑇 é a temperatura em K, R é a resistência em Ω, e a,b são constantes. Sabe-se ainda que o termistor com temperatura 𝑇1 possui resistência 𝑅1, e que na temperatura 𝑇2 o valor de sua resistência dobra com relação a 𝑅1.


Nestas condições, o valor de 𝑇 − 𝑇 é:


A

𝑏 ln(2).


B

𝑎 + 𝑏 ln(2).


C

𝑎 + 𝑏 ln(𝑅1).


D

𝑎 + 𝑏 ln(2 𝑅1).


E

.

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.


Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.


A

o transistor está no modo ativo quando a junção emissor-base está polarizada diretamente e a junção coletor-base está polarizada inversamente.


B

no modo corte não há corrente que flui entre o emissor e o coletor, porém pode haver um valor considerável de corrente pela junção emissor-base.


C

no modo saturação a corrente que flui na junção emissor-coletor é aproximadamente proporcional à corrente que passa pela junção emissor-base.


D

para realizar a amplificação de sinais, os transistores são geralmente polarizados para operarem no modo de saturação.


E

quando a junção emissor-base está polarizada inversamente e a junção coletor-base está polarizada diretamente o transistor está no modo saturação.

Uma fonte de alimentação chaveada baseada em conversor flyback utiliza um transistor NMOS para a comutação do enrolamento primário do transformador de alta frequência e conta com controle PWM em sua malha de controle realimentado. A respeito dos dispositivos semicondutores e circuitos integrados, assinale a alternativa correta.


A

Um MOSFET operando no modo intensificação só pode conduzir quando nenhum canal é induzido.


B

Os circuitos NMOS são mais difíceis de serem fabricados do que os circuitos CMOS, entretanto NMOS é a tecnologia mais empregada na fabricação de circuitos integrados.


C

O MOSFET canal N é formado em um substrato do tipo P, dado que seu canal é criado pela inversão da superfície do substrato do tipo P para o tipo N.


D

O terminal dreno é sempre negativo em relação ao terminal fonte no MOSFET canal N.


E

O MOSFET atuando como amplificador opera nas regiões de corte e triodo, já quando atua como chave, opera na região de saturação.

Seja o circuito com transistores bipolares da figura 3.


Figura 3


Imagem associada para resolução da questão


Assuma que no corte a tensão VCE tende a infinito e que na saturação a tensão VCE tende a zero. O valor da saída VS, para essa condição de polarização, é:


A

0V


B

2,5V


C

5V


D

10V

Acerca das características de resposta espectral e sensibilidade dos fotodiodos PIN, dos fototransistores e dos fotodiodos de avalanche, assinale a opção correta.


A

Fototransistores e fotodiodos de avalanche têm sensibilidades semelhantes e diferem significativamente dos fotodiodos PIN no que diz respeito à linearidade da resposta.


B

Fotodiodos PIN têm resposta espectral limitada ao infravermelho próximo, enquanto fototransistores e fotodiodos de avalanche são sensíveis a um espectro mais amplo, incluído o ultravioleta.


C

Fotodiodos PIN e fototransistores têm resposta espectral similar, e fotodiodos de avalanche possuem maior sensibilidade em baixas luminosidades.


D

Fotodiodos de avalanche são menos sensíveis que fototransistores e fotodiodos PIN e oferecem maior velocidade de resposta.


E

Fotodiodos PIN são mais sensíveis a variações rápidas de luz, enquanto fototransistores são melhores em detectar baixos níveis de luz e fotodiodos de avalanche são utilizados para detecções de alta precisão em espectros variados.

A adequação dos sinais de transdutores para uso em sistemas de aquisição de dados computadorizados é fundamental para assegurar medições precisas e confiáveis. Isso inclui o condicionamento dos sinais dos transdutores para atender aos requisitos específicos do sistema, como faixa dinâmica e resolução, garantindo assim a sua compatibilidade e eficácia na conversão analógico-digital.


Nesse contexto, considere um sistema em que um transdutor analógico é conectado a um conversor A/D por meio de um amplificador linear, onde este último tem a função de ajustar o nível de tensão que entra no conversor de modo a assegurar a melhor representação digital do sinal na conversão. Sabe-se ainda que a saída do transdutor analógico varia de 0mV a 100mV, enquanto a faixa de entrada do conversor analógico-digital é de 0V a 10V.


Nessas condições, o ganho de tensão do amplificador linear, em decibéis (dB), é:


A

10.


B

20.


C

40.


D

60.


E

100.

A Temperatura máxima da junção define a temperatura máxima que o diodo pode suportar, na junção, sem apresentar defeito. As temperaturas nominais de diodos de silício estão normalmente na faixa de:


A

-10ºC a +100ºC.


B

-20ºC a +100ºC.


C

-30ºC a +200ºC.


D

-40ºC a +200ºC.

Um engenheiro eletrônico, ao dimensionar os transistores do amplificador classe AB, depara-se com a especificação de dissipação máxima de 5 W em condições de temperatura ambiente de 25 °C. Considerando-se a temperatura máxima da junção de 150 °C, assinale a alternativa que apresenta o valor correto para a resistência térmica (θJmáx), a potência máxima que pode ser dissipada para temperatura de 45 °C (PDmáx) e o valor da temperatura da junção do transistor operando com potência de 1,5 W sob temperatura ambiente de 25 °C (TJ), respectivamente.


A

θJmáx = 55,3 ºC/W; PDmáx = 18,3 W e TJ = 85,3 °C.


B

θJmáx = 25 ºC/W; PDmáx = 4,2 W e TJ = 62,5 °C.


C

θJmáx = 32 ºC/W; PDmáx = 6,5 W e TJ = 78,5 °C.


D

θJmáx = 56 ºC/W; PDmáx = 9,3 W e TJ = 87,7 °C.


E

θJmáx = 12 ºC/W; PDmáx = 1,2 W e TJ = 44,8 °C

Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo


A

possuem uma maior transcondutância, resultando em um ganho de tensão mais elevado que os TBJs.


B

têm uma impedância de entrada muito alta, o que minimiza a carga no circuito de entrada e reduz a distorção do sinal.


C

dispõem de uma menor faixa dinâmica de operação, limitando sua utilidade em aplicações de amplificação de sinais de alta potência.


D

necessitam de uma corrente de porta significativa para operar corretamente, ao contrário dos TBJs que são controlados por tensão.


E

operam com uma impedância de saída mais baixa, proporcionando uma melhor transferência de potência ao estágio seguinte.

Uma configuração recorrente em estágios finais de amplificação, seja do tipo A, B ou AB, é a configuração coletor-comum, pois apresenta ganho de corrente


A

unitário, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.


B

unitário, ganho de tensão baixo e alta resistência de saída.


C

elevado, ganho de tensão unitário e baixa resistência de saída.


D

elevado, ganho de tensão unitário e alta resistência de saída.


E

elevado, ganho de tensão elevado e baixa resistência de saída.

No estágio de saída de um amplificador classe B, é possível observar um par complementar de transistores que estão associados de modo a não possibilitar que entrem em condução simultaneamente. Considerando-se o amplificador classe B, alimentado por fonte simétrica, assinale a alternativa correta.


A

Os transistores do estágio classe B conduzem corrente não nula mesmo sem a presença de sinal em sua entrada.


B

Quando a tensão na entrada for igual a zero, os dois transistores estarão em corte e a tensão na saída será nula.


C

O efeito de distorção de cruzamento será mais pronunciado quando a amplitude do sinal de entrada for maior.


D

O cálculo do rendimento da conversão de potência é diretamente proporcional à distorção de cruzamento.


E

A saturação dos transistores em classe B não acarreta alterações na forma de onda do sinal.

Considere o circuito a seguir para responder a esta questão. O Diodo verificado no circuito é de silício. Nestas condições, o circuito funcionando normalmente. Calcule a corrente média na carga e assinale a alternativa correta.


Imagem associada para resolução da questão


A

0,48 A


B

0,38 A


C

0,52 A


D

0,75 A


E

0,80 A

Considere o circuito abaixo, que utiliza um transistor NMOS do tipo enriquecimento.


Imagem associada para resolução da questão


Sabe-se que o transistor utilizado possui as seguintes especificações:


• VT = 1 V;

•𝑘′𝑛 (𝑊⁄𝐿)= 1 mA/V²; e

• λ = 0 (despreze a modulação do comprimento do canal).


A corrente que flui pelo dreno do MOSFET em miliampéres (mA) é aproximadamente igual a


A

0.


B

0,24.


C

0,32.


D

2,4.


E

3,2.

No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal.


C

Certo


E

Errado

Antes do processo de recombinação, a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED vermelho.


C

Certo


E

Errado

O efeito de segunda ordem denominado efeito de corpo ocorre quando se aplica, ao terminal da fonte do transistor NMOS, uma tensão maior que a tensão de substrato, o que leva a um aumento do número de íons negativos da camada de depleção, sendo necessária uma maior tensão de limiar para formar o canal.


C

Certo


E

Errado

Considere as seguintes asserções sobre fontes de alimentação e seus componentes.


I. Uma fonte de alimentação é composta por transformador, retificador e regulador.

II. Dentre os vários sistemas de proteção contra um curto-circuito, um sistema limitador Foldback protege apenas a tensão de saída em um circuito.

III. O circuito retificador de onda completa em ponte é um circuito composto por quatro diodos.

IV. Um filtro capacitivo é ligado na saída de um circuito retificador que visa eliminar ruídos e ondulações, como também de estabilizar a tensão de saída, consequentemente, ele pode proteger equipamentos eletroeletrônicos.


Assinale a alternativa que apresenta apenas asserções corretas.


A

III, IV


B

I, II


C

I, IV


D

II, III

   
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