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Questões de Concurso sobre Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos
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Analise o circuito apresentado na Figura 17 abaixo:
Figura 17
Fonte: Boylestad e Nashelsky (2013).
Com base nas informações apresentadas, analise as assertivas a seguir e assinale a alternativa correta.
I. O circuito emprega um TRIAC para controle da condução de corrente na carga que é, nesse caso, uma lâmpada.
II. A bateria de 6 V presente no circuito é carregada através do diodo D1.
III. O SCR entra em condução quando o capacitor C1 se descarrega pela carga, o que proporciona uma tensão no GATE, pelo divisor de tensão formado por R2 e R3 e pela tensão fornecida pela bateria.
IV. A alimentação do circuito utiliza um retificador de meia onda.
A
Todas as assertivas estão corretas.
B
Todas as assertivas estão incorretas.
C
Apenas as assertivas II e III estão corretas.
D
Apenas as assertivas II e IV estão corretas.
E
Apenas as assertivas I, III e IV estão corretas.
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga. Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
A
FET – retificador.
B
FET – amplificador de RF.
C
Transistor bipolar – comutador.
D
Transistor bipolar – amplificador de áudio.
Em circuitos de potência, transistores MOSFET
I têm maior eficiência e velocidade de comutação em comparação com BJTs.
II requerem maior tensão de gate para operar.
III são mais suscetíveis a ruídos do que BJTs.
Assinale a opção correta.
A
Apenas o item I está certo.
B
Apenas o item II está certo.
C
Apenas o item III está certo.
D
Apenas os itens I e II estão certos.
E
Todos os itens estão certos.
Um diodo semicondutor é basicamente constituído por uma junção PN. Isso significa a junção de dois tipos de materiais, do tipo P (__I__) e do tipo N (__II__) O fenômeno de ocupação de uma lacuna por um elétron é conhecido por (__III__).
Assinale a alternativa que preencha correta e respectivamente as lacunas.
A
I. Portadores majoritários lacunas / II-Portadores majoritários elétrons / III- Absorção
B
I. Portadores majoritários elétrons / II-Portadores majoritários lacunas / III- Adsorção
C
I. Portadores majoritários elétrons / II-Portadores majoritários lacunas / III- Absorção
D
I. Portadores majoritários lacunas / II-Portadores majoritários elétrons / III- Recombinação
E
I. Portadores majoritários elétrons / II-Portadores majoritários lacunas / III- Recombinação
Ao analisar um transistor bipolar em termos das correntes em sua estrutura, encontram-se relações entre largura da base, comprimento de difusão e demais elementos que determinam seu funcionamento. Considerando as correntes de um transistor bipolar de junção, assinale a alternativa correta.
A
A corrente de saturação é diretamente proporcional à largura da base e inversamente proporcional à área da junção emissor-base.
B
O valor do ganho de corrente de emissor comum independe dos valores de largura da região da base e da razão de dopagem das regiões de base e emissor.
C
A corrente no emissor é o produto da corrente do coletor pela corrente na base de um transistor bipolar.
D
A corrente no coletor depende do valor da tensão do coletor enquanto a junção coletor-base permanecer polarizada reversamente.
E
Há dois componentes responsáveis pela corrente da base, sendo um componente denominado “iB1”, atribuído às lacunas injetadas da região da base na região do emissor, e o outro componente denominado “iB2”, que é atribuído às lacunas da base fornecidas pelo circuito externo.
Em geral, ao se conectar o anodo de um LED ao terminal negativo e o catodo ao terminal positivo de uma fonte de corrente contínua, o dispositivo tende a não emitir luz.
C
Certo
E
Errado
O regulador de tensão com transistor e diodo Zener utiliza um transistor como ____________________, enquanto o diodo Zener atua como _____________________. O Zener _____________________________________, e a tensão é utilizada para polarizar a base do transistor, ______________________________, mantendo a tensão de saída estável.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
A
sensor de temperatura – indicador luminoso – emite luz para indicar o funcionamento correto – que monitora a temperatura do circuito
B
elemento de amplificação do sinal de entrada – retificador da corrente alternada – converte a corrente alternada em corrente contínua pulsante – onde essa corrente é amplificada pelo transistor para fornecer a corrente necessária à carga
C
chave eletrônica – protetor contra surtos de tensão – limita a tensão máxima que pode ser aplicada ao circuito – que chaveia a corrente de saída
D
elemento de controle da corrente de saída – referência de tensão – mantém sua tensão constante mesmo com variações na corrente que o atravessa – que, por sua vez, controla a corrente que flui para a carga
E
elemento de controle da corrente de saída – um diodo comum – permite a passagem de corrente em apenas um sentido – onde essa corrente é reduzida pelo transistor para fornecer a corrente necessária à carga
Deseja-se polarizar um MOSFET de canal N, tipo intensificação, na região de saturação. Para atender a essa condição é CORRETO afirmar que:
A
VGS < Vt e VDS < VGS - Vt
B
VGS < Vt e VDS ≥ VGS - Vt
C
VGS > Vt e VDS ≥ VGS - Vt
D
VGS < Vt e VDS < Vt
E
VGS > Vt e VDS < Vt
Ao projetar um circuito utilizando um amplificador operacional, o engenheiro responsável utilizou um potenciômetro para compensar o efeito da tensão de offset (desequilíbrio) da entrada do amplificador operacional.
Esse ajuste tem por finalidade
A
compensar o efeito da resistência de saída não nula do amplificador operacional.
B
reduzir a sensibilidade do amplificador operacional à variação da temperatura.
C
aumentar a resistência de entrada do amplificador operacional.
D
amenizar a diminuição do ganho de tensão do amplificador operacional devido à sua largura de banda finita numa faixa de frequência de interesse.
E
minimizar o erro da tensão de saída devido ao desbalanceamento do estágio diferencial da entrada do amplificador operacional.
Deseja-se projetar um circuito com transistor bipolar de junção para atuar como amplificador. Para isso, as junções base-emissor e base-coletor devem estar polarizadas, respectivamente:
A
reversamente e reversamente.
B
diretamente e reversamente,
C
reversamente e diretamente.
D
diretamente e diretamente.
E
diretamente e sem polarização.
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
A
Os transistores de efeito de campo (FET) são formados por duas camadas semicondutoras.
B
Os transistores bipolares de junção (TBJ) são dispositivos controlados por tensão.
C
Os transistores de efeito campo (FET) apresentam alta impedância de entrada.
D
Há três tipos disponíveis de MOSFETs: de depleção, de polarização reversa e de polarização direta.
E
Um MOSFET tem resistência de entrada típica da ordem de centenas de Ohms, inferior à resistência de um JFET, que é da ordem de megaohms.
Sobre os amplificadores usados em aplicações de RF, sabe-se que são divididos nas classes A, B, AB e C, de acordo com a porção do sinal de entrada que coloca os transistores do amplificador em condução.
Considerando um amplificador da classe C, seu ângulo de condução
A
está entre 0 e 180 graus.
B
está entre 180 e 360 graus.
C
é de, exatamente, 360 graus.
D
é de, exatamente, 270 graus.
E
é de, exatamente, 180 graus.
Em qual classe de amplificador, o transistor fica polarizado em um valor que o mantém cortado, sendo ligado somente quando o sinal CA é aplicado, isto é, praticamente não há polarização, e o transistor conduz corrente apenas durante um semiciclo do sinal de entrada?A
A
A
B
B
C
AB
D
C
E
D
Qual componente é utilizado como chave de potência no conversor CC-CC, também conhecido como Chopper Control, para obter um controle linear na tensão de alimentação?
Avalie as opções correspondentes e assinale (V) para verdadeiro e (F) para falso:
( ) Transistores de efeito de campo (FETs)
( ) Retificadores de onda completa
( ) Diodos de junção PN
( ) Retificadores controlados de silício (SCRs)
A
V, F, F, V.
B
V, F, F, F.
C
F, F, F, V.
D
F, F, F, F.
Fontes de alimentação lineares têm rendimento de potência superior às fontes chaveadas, pois os transistores nela utilizados operam com baixos valores de tensão coletor-emissor ou dreno-fonte.
C
Certo
E
Errado
A cor da luz emitida por um LED depende fundamentalmente da frequência de luz incidente, razão pela qual o encapsulamento desses dispositivos tende a ser transparente ou translúcido.
C
Certo
E
Errado
Um LED precisa ser construído a partir de um semicondutor inorgânico, pois o gap existente nesse material é necessário para a criação da região de depleção.
C
Certo
E
Errado
No plano xOy, a curva característica de corrente (eixo-x) versus tensão (eixo-y) em uma célula fotovoltaica ideal como a do modelo apresentado é representada por uma função com exatamente duas raízes reais.
C
Certo
E
Errado
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
C
Certo
E
Errado
O diodo é formado pela junção p-n. Considerando a condição de polarização do dispositivo e as características decorrentes dessa alimentação, assinale a opção correta.
A
Na polarização de 0V, o fluxo líquido de carga na junção é diferente de zero, e é elevado.
B
Na polarização reversa, a região de depleção diminui.
C
Na polarização reversa, a região de depleção não se altera.
D
Na polarização reversa, a região de depleção aumenta.
E
Na polarização reversa, o fluxo líquido de cargas é Zero.
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