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Uma semelhança importante entre os transistores JFET e MOSFET é que:
nenhum dos dois tipos possui junções PN
ambos são controlados pela tensão de GATE
ambos apresentam os mesmos níveis de ruído e distorção de sinais
ambos apresentam os mesmos níveis de susceptibilidade às descargas eletrostáticas
Na modelagem de um transistor BJT, usualmente se ignora os parâmetros relacionados ao ganho:
direto de corrente e admitância de saída
direto de corrente e impedância de entrada
reverso de tensão e admitância de saída
reverso de tensão e impedância de entrada
Qual das alternativas abaixo melhor define o funcionamento de um SCR e qual é a sua principal aplicação na eletrônica?
É um componente que amplifica sinais de tensão de forma linear, utilizado principalmente em estágios de pré-amplificação de microfones.
É um dispositivo bidirecional que conduz em ambos os sentidos após um pulso no gate, sendo usado em inversores de frequência para motores de passo.
Funciona como um diodo controlado que entra em condução após um pulso no gatilho (gate) e permanece assim até que a corrente caia abaixo do nível de manutenção, aplicado em controle de potência CC e retificação controlada.
É um regulador de tensão shunt que protege circuitos contra surtos de tensão atmosférica em linhas de transmissão.
Trata-se de uma chave eletrônica de alta velocidade que desliga automaticamente assim que o pulso de gate é removido, aplicada em memórias RAM.
O esquema elétrico mostrado abaixo representa parte de um computador analógico usado em controle industrial.

Fonte: Banca Examinadora, 2026.
Assumindo condições ideais, o nível de tensão que deve ser ajustado em TP1 para que a saída seja de zero volts é
+ 3,0 V.
– 6,0 V.
– 2,0 V.
+ 1,5 V.
Em um circuito de condicionamento de sinais, a tensão analógica 𝑉𝑒 é aplicada à entrada não inversora de um amplificador operacional. A saída do amplificador é conectada ao nó de saída 𝑉𝑜 por meio de um diodo, e esse nó é realimentado à entrada inversora.
A carga 𝑅𝐿 está conectada entre 𝑉𝑜 e o terra, conforme mostrado na figura.

Considerando o amplificador operacional ideal, o diodo ideal e a operação em regime linear, sempre que houver realimentação negativa, a relação entre 𝑉𝑜 e 𝑉𝑒 é
𝑉𝑜 ≈ 𝑉𝑒, para 𝑉𝑒 > 0, e 𝑉𝑜 ≈ 0, para 𝑉𝑒 < 0.
𝑉𝑜 ≈ 0, para 𝑉𝑒 > 0, e 𝑉𝑜 ≈ −𝑉𝑒, para 𝑉𝑒 < 0.
𝑉𝑜 ≈ −𝑉𝑒, para 𝑉𝑒 > 0, e 𝑉𝑜 ≈ 0, para 𝑉𝑒 < 0.
𝑉𝑜 ≈ 0, para 𝑉𝑒 > 0, e 𝑉𝑜 ≈ 𝑉𝑒, para 𝑉𝑒 < 0.
𝑉𝑜 ≈ 𝑉𝑒, tanto para 𝑉𝑒 > 0 quanto para 𝑉𝑒 < 0.
Se o diodo inferior direito da ponte retificadora apresentar defeito e o circuito passar a se comportar como circuito aberto, a ponte continuará funcionando como retificador de onda completa e, por isso, a tensão de pico na carga não se alterará enquanto a tensão de ripple diminuir.
Certo
Errado
Uma empresa utiliza um transistor tipo NPN como chave (operando na região de saturação) para acionar um solenóide de SCRAM auxiliar que consome uma corrente de coletor de IC= 200mA. O microcontrolador responsável pelo acionamento fornece uma tensão de controle de Vcontrole = 5 V e possui limitação de corrente por pino de IB(max) = 20 mA.
Para garantir que o transistor opere de maneira confiável como chave em todas as condições de operação, o projeto exige que a corrente de base seja calculada utilizando um ganho de β =10. Considere a Segunda Aproximação para o transistor, adotando VBE(sat) = 1 V.
O valor mínimo do resistor de base (RB) é
400 Ω
300 Ω
200 Ω
100 Ω
50 Ω
A figura abaixo mostra um amplificador transistorizado.

Fonte: Banca Examinadora, 2026.
Considerando as características do transistor, o circuito de polarização e a excitação indicadas, a tensão de saída VDS para VGS = 0 V, é igual a
1,11 V.
1,38 V.
0,58 V.
0,85 V.
Examine a figura abaixo.

Considere a configuração de transistor polarizado por divisor de tensão, conforme mostrado na figura acima. Assim, assinale a opção que apresenta a tensão aproximada entre coletor e emissor.
Dado: tensão entre base e emissor do transistor = 0, 7 V.
4,9 V
5,7 V
6,2 V
6,7 V
7,0 V
Considere um transistor NPN operando na região ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em regime DC estabelece:
𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
Considerando um transistor com 𝜷 = 𝟏𝟓𝟎, polarizado com 𝑰𝑩 = 𝟒𝟎𝝁𝑨, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
5,98 mA.
6,04 mA.
0,46 mA.
0,06 mA.
7,43 mA.
O Triode for Alternating Current (TRIAC) é um dispositivo semiconductor da família dos tiristores amplamente empregados no controle de potência em CA, como em dimmers, controles de velocidade para motores CA e relés de estado sólido. A Figura 3 a seguir ilustra, de forma genérica, o símbolo esquemático (I) e o circuito equivalente funcional (II) desse componente, sem a identificação nominal de seus terminais e subcomponentes:

Figura 3
Considerando os modos de disparo, o comportamento dinâmico e a representação ilustrada do TRIAC, assinale a alternativa correta.
O TRIAC é um dispositivo bidirecional que equivale funcionalmente a dois tiristores (SCRs) conectados em antiparalelo com um Gatilho comum, podendo ser disparado por pulsos de corrente positivos ou negativos em seu terminal de Gatilho para conduzir em ambos os semiciclos da corrente alternada.
O bloqueio do TRIAC ocorre imediatamente assim que o pulso no Gatilho é removido, permitindo o desligamento instantâneo do componente independentemente do valor da corrente principal entre seus terminais de anodo principal (MT1 e MT2).
Por possuir simetria de condução, o TRIAC apresenta a mesma sensibilidade de disparo em todos os quatro quadrantes operacionais, dispensando o uso de circuitos de disparo específicos como o DIAC.
Em circuitos de controle de cargas fortemente indutivas, o TRIAC é imune aos efeitos da taxa de elevação de tensão no tempo (dv/dt), prescindindo do uso de redes de proteção do tipo snubber.
Um circuito amplificador inversor com amplificador operacional em realimentação negativa recebe sinal de entrada de 10 mV e tem os resistores R1 e Rf com os valores de 1 kΩ e 200 kΩ, respectivamente. R1 é o resistor que recebe o sinal de entrada e conecta-se à entrada inversora, enquanto Rf é o resistor de feedback. Dessa forma, o valor da tensão na saída do amplificador é de
20 V.
5 V.
1,2 V.
-2,0 V.
-20 V.
A tensão de offset de um amplificador diferencial ideal é nula.
Certo
Errado
Sobre os componentes eletrônicos a seguir, representados pelas figuras de (a) até (g), analise as afirmativas a seguir.

I- O componente representado em (a) possui somente o disparo controlado pelo terminal de gatilho, enquanto o componente (c) possui tanto o disparo quanto o bloqueio controláveis pelo terminal gate.
II- Os componentes (d) e (e) são transistores de efeito de campo e são utilizados em conversores chaveados como o Boost e o Flyback.
III- O componente (g) é um TRIAC, que pode ser utilizado em circuitos gradadores, como é o caso de um dimmer de lâmpada incandescente. O componente (b) é um diodo Schottky, caracterizado por um tempo de atuação relativamente menor do que um diodo retificador.
Está(ão) correta(s) a(s) afirmativa(s)
I e III.
II.
I e II.
II e III.
I, II e III.
A tensão Vbe que leva o transistor à condição de saturação para poder acionar a carga resistiva vale, aproximadamente,
3,6 V.
0, 2 V.
4,3 V.
0,6 V.
1,4 V.
No que se refere aos tiristores SCR e TRIAC, assinale a opção correta.
Assim como o diodo, o SCR consiste em duas camadas de material semicondutor, uma do tipo P e uma do tipo N.
O SCR e o TRIAC são dispositivos que funcionam de forma semelhante a uma chave, ou seja, operam sob dois estados, impedindo ou permitindo o fluxo de energia.
A faixa de frequência de operação do SCR e do TRIAC é semelhante à obtida em transistores de potência TBJ e MOSFETs.
Enquanto o SCR é capaz de conduzir corrente em ambos os sentidos, o TRIAC é capaz de conduzir corrente em um único sentido.
O TRIAC é construído colocando-se três tiristores SCR em série.
Um circuito amplificador utiliza um transistor BJT na configuração emissor comum. Se o ganho de corrente do transistor é de 100 e a corrente de base é de 50 microamperes, qual a corrente de coletor?
5,0 mA
1,0 mA
10,0 mA
0,5 mA
50,0 mA
Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência, é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou um transistor MOSFET na etapa de amplificação. Considerando o comportamento desses dispositivos em alta frequência, eficiência energética e características de controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta sobre a principal diferença entre os dois tipos de transistores.
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
Apenas I, II e III estão corretas.
Apenas I e III estão corretas.
Apenas I e II estão corretas.
Apenas II e IV estão corretas.
Apenas III e V estão corretas.
O ganho de tensão em malha aberta de um amplificador operacional ideal será infinito.
Certo
Errado
A diferença de tensão entre dois pontos de um componente passivo de um dado circuito é:
a energia necessária para deslocar uma carga unitária entre os dois pontos.
medida com um instrumento do tipo amperímetro.
a potência necessária para deslocar um elétron entre os dois pontos.
a energia potencial dos elétrons acumulados entre os dois pontos.
a quantidade de carga se deslocando entre os dois pontos por unidade de tempo.