Questões de Concurso sobre Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos

 
 
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Examine o gráfico abaixo.


Imagem associada para resolução da questão


Com base nos conceitos de transistores de efeito de campo de junção e no gráfico apresentado acima, assinale a opção INCORRETА.


A

A tensão de estrangulamento ou tensão de constrição apresentada pelo gráfico é de -4V.


B

Entre a tensão mínima e a tensão de ruptura, о transistor funciona como uma fonte de corrente.


C

A tensão de VGs de corte sempre terá a mesma grandeza (valores absolutos) de Vp, porém com sinais opostos.


D

A resistência ôhmica apresentada pelo gráfico é de 400 (ohns).


E

A tensão Vgs de corte reduz a corrente de dreno para quase zero.

Examine a figura abaixo.


Imagem associada para resolução da questão


Com base nessas informações, assinale a opção que apresenta corretamente o valor da corrente da fonte (IFonte), da corrente da carga (IRL) e da potência dissipada pelo diodo Zener (Pzener).


A

IFonte = 30MA, IRL-20mA e Pzener-300mW.


B

IFonte = 30mA, IRL=30mA e Pzener=600mW.


C

IFonte = 30mA, IRL,=30mA e Pzener=300mW.


D

IFonte = 80mA, IRL=20mA e Pzener=300mW.


E

IFonte = 80mA, IRL-20mA e Pzener=600mW.

O dispositivo Retificador Controlado de Silício (SCR), após o disparo realizado pela sua porta, entra em condução, contudo não pode ser desligado simplesmente pela remoção do sinal da porta. Assim, analise as afirmativas abaixo sobre os métodos de desligamento do SCR e assinale a opção correta.


I - Um novo disparo positivo na porta.

II - Interrupção da corrente de anodo.

III - Técnica de comutação forçada.


A

As afirmativas I, II e III estão corretas.


B

Apenas a afirmativa II está correta.


C

Apenas as afirmativas II e III estão corretas.


D

Apenas as afirmativas I e III estão corretas.


E

Apenas a afirmativa III está correta.

Um MOSFET canal-n apresenta 𝑽𝑻 = 𝟑𝑽. Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟓𝑽, determine a condição para operação em saturação e assinale a alternativa correta.


A

VDS < 2V.


B

VDS < VT.


C

VGS < VT.


D

VDS = 0.


E

VDS > 2V.

Assinale a opção que apresenta o componente formado pela junção de um metal com um semicondutor, ao invés de duas regiões dopadas como nos diodos tradicionais, e que possui capacidade de alta velocidade de comutação.


A

Diodo Schottky.


B

Diodo Zener.


C

LED.


D

Varactor.


E

MOSFET.

Os Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes controlados por corrente que podem operar em diferentes regiões (ou modos de condução), dependendo diretamente do estado de polarização (direta ou reversa) de suas duas junções internas: a Junção Base-Emissor (JBE) e a Junção Base-Coletor (JBC). Considerando o diagrama simbólico apresentado na Figura 5 abaixo e os conceitos fundamentais sobre o transistor do tipo PNP, assinale a alternativa correta.

Imagem associada para resolução da questão

Figura 5

Fonte: elaborada pelo autor.


A

Para que o transistor PNP entre na Região de Saturação (atuando como uma chave fechada), a junção Base-Emissor deve estar polarizada inversamente e a junção Base-Coletor deve estar polarizada diretamente.


B

Na Região Ativa, modo utilizado para a amplificação de sinais, a junção Base-Emissor do transistor PNP deve estar polarizada inversamente, exigindo que o potencial elétrico da Base seja maior do que o do Emissor.


C

Se ambas as junções (Base-Emissor e Base-Coletor) estiverem polarizadas inversamente (reversas), o transistor PNP entrará na Região de Corte, apresentando corrente de coletor desprezível e funcionando analogamente a uma chave aberta.


D

No transistor PNP em condução na região ativa, a corrente principal entra pelo terminal do Coletor e se divide, de modo que a sua intensidade obedece à relação matemática .


E

A polarização direta da junção Base-Emissor de um transistor PNP faz com que os elétrons livres da Base (que é constituída de material semicondutor tipo P) sejam injetados em grande quantidade no Emissor.

No circuito da figura a seguir, o diodo Zener ideal tem tensão de estabilização de 5,6 V.


Imagem associada para resolução da questão


(Arquivo pessoal; figura usada com autorização)


Sendo assim, a corrente pelo Zener é de, aproximadamente,


A

5,0 mA.


B

8,5 mA.


C

7,8 mA.


D

9,8 mA.


E

3,6 mA.

Analisando as afirmações sobre o funcionamento do diodo Zener, é possível afirmar que


A

quando polarizado diretamente, não funciona como outros tipos de diodo.


B

polarizado reversamente, permite passagem da corrente para qualquer valor de tensão aplicado.


C

uma das aplicações, quando polarizado diretamente, é a regulação de tensão.


D

a tensão de Zener é a tensão de ruptura direta, tipicamente 0,3 V ou 0,7 V.


E

pode ser utilizado como protetor de circuitos para sobretensão, quando polarizado reversamente.

Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.


O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:


Imagem associada para resolução da questão


Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é


A

45 °C.


B

55 °C.


C

60 °C.


D

65 °C.


E

70 °C.

A distorção harmônica total (DHT) mensura a quantidade de distorção harmônica em um sinal elétrico em relação a sua frequência fundamental. Qual a tensão da componente fundamental de um sinal, considerando valores de tensão de 12V na 3ª harmônica e 5V na quinta harmônica e DHT de 13%?


A

40V


B

60 V


C

80V


D

100 V


E

120V

O esquema abaixo mostra um conversor D/A de 4 bits que usa componentes ideais. O projeto do conversor assume que as entradas b0 até b3 podem receber apenas dois níveis de tensão: 0 V para representar nível lógico 0 e 5 V para representar nível lógico 1.


Imagem associada para resolução da questão


Fonte: Banca Examinadora, 2026.


Se o código digital aplicado no D/A for 0110, a saída do conversor será:


A

Vo = - 2,50 V.


B

Vo = - 5,62 V.


C

Vo = - 6,25 V.


D

Vo = - 3,75 V.

A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:


𝑰𝑫 = 𝑰𝑺


Sabe-se que 𝑰𝑺 é a corrente de saturação reversa, 𝑽𝑻 = é a tensão térmica e 𝒏 é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎−𝟏𝟐𝑨, 𝒏 = 𝟏, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será


A

0,37 V.


B

0,48 V.


C

0,51 V.


D

0,55 V.


E

0,61 V.

O transistor utilizado é do tipo NPN e, para o seu correto funcionamento no modo ativo direto, é necessário que a junção entre coletor e base esteja polarizada reversamente e que a junção entre base e emissor esteja polarizada diretamente.


C

Certo


E

Errado

Na faixa de passagem, a impedância de saída do amplificador é aproximadamente igual à do resistor de coletor (RC), característica que torna a configuração emissor comum a escolha ideal para estágios de saída que acionam alto-falantes.


C

Certo


E

Errado

A análise de um transistor bipolar de junção gerou o gráfico a seguir:


Imagem associada para resolução da questão


IB é a corrente de base, IC é a corrente de coletor e VCE é a tensão entre coletor e emissor.


A partir da análise do gráfico, determine o valor de hFE do transistor.


A

100


B

250


C

120


D

300


E

150

Em um circuito com transistor NPN funcionando como chave, o dispositivo entra na região de saturação quando


A

a junção base-emissor está diretamente polarizada e a junção base-coletor está reversamente polarizada.


B

a corrente de coletor é aproximadamente igual à corrente de base.


C

as duas junções – base-emissor e base-coletor – ficam diretamente polarizadas.


D

a tensão coletor-emissor é máxima.


E

a junção base-emissor está diretamente polarizada, mas a tensão coletor-emissor permanece maior que a base-emissor.

Em uma assistência técnica, foi verificado que determinado dispositivo eletrônico utiliza amplificador operacional (AmpOp) na configuração não-inversor. Entretanto, havia um ruído vindo de uma etapa anterior desse circuito eletrônico, produzindo saídas indesejadas no final do circuito. Sendo assim, foi necessário inserir componentes para fazer um filtro passa-baixa com frequência de corte de ω = 10.000 rad/s. Os componentes inseridos foram um


A

capacitor de 10 nF, conectado ao polo positivo do AmpOp, aterrado com um resistor de 1 kΩ.


B

capacitor de 100 nF, conectado ao polo negativo do AmpOp, aterrado com um resistor de 1 kΩ.


C

resistor de 10 kΩ, conectado ao polo negativo do AmpOp, aterrado com um capacitor de 100 nF.


D

resistor de 1 kΩ, conectado ao polo positivo do AmpOp, aterrado com um capacitor de 100 nF.

A análise de circuitos elétricos e eletrônicos envolve a compreensão de como a energia flui através de componentes como resistores, capacitores e transistores, utilizando leis fundamentais para identificar falhas e realizar testes. Durante a análise de um equipamento, um técnico mediu, em relação ao terra comum, as tensões nos terminais de um transistor BJT NPN de silício, obtendo os seguintes valores: tensão de emissor (Ve) = 0 volts, tensão de base (Vb) = 0,7 volts e tensão de coletor (Vc) = 0,1 volts. Com base nessas medições, qual é a região de operação do transistor?


A

Corte.


B

Ativa direta.


C

Saturação.


D

Região inversa.

Ao se comparar características de diodos com junção metalsemicondutor com diodos P-N, verifica-se que, quando polarizados diretamente, tipicamente:


A

o diodo P-N apresenta maior tempo de recuperação reverso


B

ambos os tipos de diodos apresentam a mesma faixa de queda de tensão


C

o diodo com junção metal-semicondutor apresenta maior queda de tensão


D

ambos os tipos de diodos apresentam a mesma faixa de tempo de recuperação reverso

   
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