Questões de Concurso sobre Eletrônica

A conversão entre sistemas numéricos é fundamental para a compreensão de sistemas digitais.

Assinale a alternativa que apresenta o resultado da conversão do número hexadecimal 2CF para decimal.

Em relação a um diodo semicondutor, são feitas as seguintes asserções:

I. Mesmo que não haja uma tensão externa aplicada nos terminais, um diodo semicondutor, por sua natureza elétrica, estará polarizado.

II. Uma resposta pode ser obtida ao aplicar uma tensão externa através dos dois terminais do dispositivo (polarização).

III. Ele é um material formado pela combinação de um material do tipo n (que tem a maioria de portadores e elétrons) com outro do tipo p (que tem a maioria dos portadores lacunas).

IV. Ele permite a passagem de corrente elétrica em mais de um sentido simultaneamente.

Assinale a alternativa que apresenta apenas asserções corretas.

Para a produção de determinada linha de biscoitos, uma indústria utiliza em sua produção vários equipamentos, como misturadores, sensores e aquecedores. Para garantir a lógica correta da produção e o sucesso da receita, é utilizado um CLP programado em linguagem LADDER. Indique a alternativa que descreve corretamente o funcionamento do programa, como apresentado na figura a seguir, implementado pelo operador especialista da produção.

Fonte: IFSP, 2024.

Para consumir a menor potência possível, o referido circuito combinacional deve ser construído com o uso de portas lógicas apenas da família NMOS.

Um transistor BJT pode apresentar diferentes regiões de operação. Uma delas é a de saturação deste, em que: ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes.

No processo de design de um amplificador operacional CMOS, a seleção do tamanho dos dispositivos MOSFET e das correntes de polarização tem influência direta em parâmetros tais como ganho, CMRR, dissipação de potência, ruído e taxa de variação (slew rate). Esse processo é iterativo e requer ajustes baseados em simulações, em que aumentar o tamanho dos MOSFETs (aumentando W) com uma menor V${}_{GS}$ (tensão entre porta e fonte) pode melhorar o emparelhamento, aumentar o ganho e reduzir o ruído, porém, podendo resultar em uma área de layout maior e potencialmente em menor velocidade de operação.

A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.

Na implementação de um PLL (phase-locked loop) em modo misto usando Verilog HDL, é aconselhável utilizar o mesmo conjunto de primitivas e elementos de modelagem empregados para blocos digitais, como flip-flops e lógica combinacional, para garantir a coerência na representação do comportamento do sistema de controle de fase e frequência.

No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por R_L ∙

$R_{-}L.\left\{\begin{array}{c}\left[\begin{array}{c}{i}_{-}gen-i_{-}0.(e^{qV/(nkT)}-1)\end{array}\right]-i_{-}sh\end{array}\right\},$

em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura e q é a carga do elétron.

Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e termocompressão.

Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer excessivamente toda a estrutura.

O LED é um dispositivo tipicamente não ôhmico; portanto, a resistência elétrica observada em determinado ponto de operação não pode ser calculada pela razão entre a tensão aplicada e a corrente que flui pelos seus terminais.

Um passo importante para o desenvolvimento de um circuito integrado fotônico foi a integração de uma junção p-n a um guia de onda, criando-se um modulador de fase.

Um dispositivo fotovoltaico deve ter ao menos um terminal de entrada que permita a passagem de luz.

Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os transistores NMOS usados em circuitos digitais têm aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores PMOS.

O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.

Apesar de oferecerem melhoras no desempenho, MCM não são capazes de reduzir o tamanho de um dispositivo.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.